硅(si)、鍺(Gc)的純晶體稱為本征半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體是一種絕緣體,硅S606C-30原子之間靠共有電子對(duì)連接在一起,如圖2,1所示。硅原子的4個(gè)價(jià)電子和它相鄰的4個(gè)原子組成4對(duì)共有電子對(duì)。這種共有電子對(duì)稱為“共價(jià)鍵”。

   摻雜V價(jià)元素的半導(dǎo)體稱為f型半導(dǎo)體。這是因?yàn)?價(jià)元素原子的5個(gè)價(jià)電子中,4個(gè)與周圍原子形成共價(jià)鍵,而第5個(gè)價(jià)電子不在共價(jià)鍵上,受到的束縛很弱,使第5個(gè)電子脫離原子束縛成為自由電子所需能量很低,對(duì)于硅,只有0。OscV的數(shù)量級(jí),遠(yuǎn)小于硅原子脫離共價(jià)鍵束縛所需要的1。⒓cV。這類雜質(zhì)提供了帶負(fù)電的載流子,故稱它們是施主雜質(zhì)或N型雜質(zhì),N型雜質(zhì)居多的半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)體,如圖2.2(a)所示。摻雜Ⅲ價(jià)元素的半導(dǎo)體稱為p^型半導(dǎo)體。這是因?yàn)?價(jià)元素原子的3個(gè)價(jià)電子中,第4個(gè)共價(jià)鍵上出現(xiàn)一個(gè)空位置。3價(jià)元素能接受其他硅原子的價(jià)電子填補(bǔ)其空位置,在其他硅原子中形成新的空位。由于3價(jià)元素提供一個(gè)帶正電的載流子一空穴,因此稱為受主雜或P型雜質(zhì)。P型雜質(zhì)居多的半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體,如圖2.2(b)所示。

   半導(dǎo)體集成電路的生產(chǎn)過(guò)程有前工序和后工序之分。前工序是指從圓片開(kāi)始加工到中間測(cè)試之前的所有工序。后工序是指從中間測(cè)試開(kāi)始到成品測(cè)試的所有工序。為了保證整個(gè)工藝流程的進(jìn)行,還需要一些輔助性的工序。