1)優(yōu)點(diǎn)

   離子注入時(shí),襯底的溫度較低,可在較低的溫度下((750℃)將各種雜質(zhì)摻入到半導(dǎo)體中, A3245避免由于高溫?cái)U(kuò)散引起的熱缺陷。所摻雜質(zhì)是通過分析器單一地分選出來后注入半導(dǎo)體基片中去的,可避免混入其他雜質(zhì)。能精確控制基片內(nèi)雜質(zhì)的濃度、分布和注入濃度。能在較大面積上形成薄而均勻的摻雜層。注入雜質(zhì)是按掩模圖形近于垂直入射,橫向擴(kuò)散效應(yīng)比熱擴(kuò)散小得多,這一特點(diǎn)有利于器件特征尺寸的縮小。另外,化合物半導(dǎo)體是兩種或多種元素按一定組分構(gòu)成的,這種材料經(jīng)高溫處理時(shí),組成可能發(fā)生變化。采用離子注入技術(shù),容易實(shí)現(xiàn)化合物半導(dǎo)體的摻雜。

   2)缺點(diǎn)

   在晶體內(nèi)產(chǎn)生的晶格缺陷不能全部消除。離子束的產(chǎn)生、加速、分離和集束等設(shè)備價(jià)格昂貴。制作深結(jié)時(shí)要求的能量太高,難以實(shí)現(xiàn),要注入高濃度時(shí)效率低。因此,高濃度深結(jié)摻雜一股仍采用高溫?zé)釘U(kuò)散方法。