離子注入是一個(gè)物理過(guò)程,摻雜離子被離化、分離、加速(獲取動(dòng)能),形成離子束流,掃過(guò)硅片。A3245_06雜質(zhì)離子對(duì)硅片進(jìn)行物理轟擊,進(jìn)入表面,并在表面以下停止。離子源和引出裝置通常放置在同一真空腔,用于從氣態(tài)或固態(tài)雜質(zhì)中產(chǎn)生正離子。帶正電的離子由雜質(zhì)氣態(tài)源或固態(tài)源的蒸汽產(chǎn)生。通常用到的B+、P+、As+、s曠都是電離原子或分子得到的,最常用的雜質(zhì)物質(zhì)有B2H6、BF3、PH3、AsH3等氣體。由于離子本身帶電,因此能夠被電磁場(chǎng)控制和加速。另一種供應(yīng)雜質(zhì)材料的方法是加熱并氣化固態(tài)材料,這種方法有時(shí)被用于從固態(tài)小球中獲得砷As+和磷P+。固態(tài)源的缺點(diǎn)是氣化時(shí)間較長(zhǎng)(佃~180分鐘)。氣態(tài)源大多有毒且易燃易爆,使用時(shí)必須注意安全。從環(huán)境和安全角度出發(fā),大多數(shù)IC芾刂造商更愿意使用固態(tài)離子源。注入材料形態(tài)選擇如表2.8所示。