芯片燒毀。隨著集ADC0809CCV成度的增加,器件尺寸在減小,按等比例縮小原理,器件尺寸縮小佬倍,電源電壓減少佬倍,摻雜濃度增加庀倍。這一比例縮小規(guī)則已令人滿意地使器件溝道長(zhǎng)度縮小到90nm,但這里有兩個(gè)致命的可靠性問(wèn)題。首先是線電流密度增加七倍,使電遷移危險(xiǎn)增加,其次是柵氧化層中的電場(chǎng)增強(qiáng)。如果器件為保持與現(xiàn)有邏輯兼容而以保持恒定電源電壓的等比例縮小時(shí),這些影響將更為 嚴(yán)重,電流密度將以縮小因子的三次方增加,電場(chǎng)也將隨縮小因子而增強(qiáng),這使功率密度增強(qiáng),結(jié)溫更高。

   MOS器件的柵氧化層對(duì)電場(chǎng)增強(qiáng)特別敏感,高場(chǎng)強(qiáng)的電場(chǎng)將引起薄氧化層的擊穿和熱電子的俘獲。柵氧化層的擊穿是MOs器件的基本失效機(jī)理,目前MOs器件的柵氧化層厚度可以小于1.2nm。

   當(dāng)過(guò)大的輸入信號(hào)或電源電壓加到芯片上時(shí),會(huì)產(chǎn)生器件的大面積燒毀或芯片上產(chǎn)生嚴(yán)重的過(guò)應(yīng)力擊穿點(diǎn),這就是芯片燒毀。