會(huì)使膜的電阻率增大,使Al氧化發(fā)霧
發(fā)布時(shí)間:2016/6/13 21:49:31 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):491
生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生o2、N2及H2等殘余氣體,殘余氣體對(duì)膜的影響如下: HCF4052M013TR
(1)o,:會(huì)使膜的電阻率增大,使Al氧化發(fā)霧;
(2)N2:引起應(yīng)力,產(chǎn)生龜裂和空洞,易產(chǎn)生電遷移;
(3)H2:易引起小丘。
具體改善的方法有:
(1)提高真空度;
(2)預(yù)除氣;
(3)提高氬氣的純度;
(4)使用抽速快的泵及冷阱;
(5)提高濺射速率
生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生o2、N2及H2等殘余氣體,殘余氣體對(duì)膜的影響如下: HCF4052M013TR
(1)o,:會(huì)使膜的電阻率增大,使Al氧化發(fā)霧;
(2)N2:引起應(yīng)力,產(chǎn)生龜裂和空洞,易產(chǎn)生電遷移;
(3)H2:易引起小丘。
具體改善的方法有:
(1)提高真空度;
(2)預(yù)除氣;
(3)提高氬氣的純度;
(4)使用抽速快的泵及冷阱;
(5)提高濺射速率
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