制造工藝使用LPCVD法或濺射法來沉積Wsi2。它是覆蓋在Poly的上面,而形成Poly化金屬的結(jié)構(gòu)。EL5378IUZ然后經(jīng)光刻和Poly化金屬的刻蝕后,形成了整個MOS的結(jié)構(gòu)。LPCVD岡刂沉積的Ws砬層的電阻率還很高,經(jīng)快速熱過程(Rapid Thcm時PrOcessing,RTP)適當退火后,使Ws砬層的組成由多硅轉(zhuǎn)變成多鎢,使整個由Poly化金屬鍵形成的柵極金屬層的電阻顯著下降。

   選擇合適的兩次退火的溫度和時間等,可以得到所要求的硅化物。硅片清洗、難熔金屬薄膜的沉積、兩次退火以及薄膜檢測等組成硅化物薄膜形成的基本工藝。注意硅化物不是阻擋層金屬。在一些硅化物中發(fā)現(xiàn),硅迅速地擴散穿過硅化物。擴散發(fā)生在金屬一硅化物一硅系統(tǒng)的熱處理過程中,硅擴散穿過硅化物進入到金屬中,這降低了系統(tǒng)的完整性。解決這個問題的方法是在硅化物和金屬層之間沉積金屬阻擋層。普通的硅化物阻擋層薄膜是△N,它對鎢和鋁都有效。例如鋁是常用互連材料,但是因為鋁與硅的界面并不穩(wěn)定,所以通常在鋁與硅的界面上,增加一層用來隔離它們兩者的阻擋層,通常使用TiN。但是這么一來,鋁與源漏區(qū)的歐姆接觸能力降低,解決方法是在TN與硅的接觸界面再增加一層導電性較好的

△S煬,使接觸區(qū)金屬事實上由鋁合金/TN/Tis餳三層組合而成�！鱯砬層是在接觸區(qū)表面,濺射一層△,然后在高溫下來形成的。以鉭為基礎(chǔ)的阻擋層被應用于金屬銅的互連布線中。影響金屬硅化物可靠性的主要問題是膜的不均勻、針孔以及硅化物與⒏黏附不

牢。由于Si表面存在一層不連續(xù)的天然so2薄層,硅化物首先在s⒑2的薄弱處形成,所以必然形成不均勻、強度差的硅化物層。為此,在沉積WS圮前必須對si表面進行清洗處理,沉積Ws屯時的真空度要高。