為了形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物, EL5375IUZ首先沉積TEOS或Si3N4,然后用等離子體刻蝕,以便在Po1y柵的兩邊留下TEOs或Si3N4側(cè)墻絕緣分隔層。僅頂部的Poly柵裸露出來,經(jīng)HF浸泡去掉了自然層,250~350A的△層被沉積在硅襯底上。經(jīng)過ω0~800℃的退火,形成高電阻率的△si2,通過NH40H和H202的腐蝕,去掉了所有未 參與反應(yīng)的△。留下的△s圮覆蓋在s/D區(qū)和Poly柵的頂部。再經(jīng)過⒛0~⒇0℃的退火,產(chǎn)生低電阻率的△Si2。退火過程應(yīng)避免o2沾污,△s圪的退火相如表2,11所不。

   對(duì)于超淺的源/漏結(jié),接觸層正在變薄。硅化物接觸層的電阻率隨著它的減薄而增加,因此,Ⅱs砬不希望用做太薄的接觸層。對(duì)于0.18um或更低的工藝技術(shù),采用的硅化物是CoSi2,這種硅化物經(jīng)退火處理以后,即使幾何尺寸降到0.18um或更低的深亞微米,它的接觸電阻值仍保持在一個(gè)降低了的水平13~1即Ω・cm。Ws砬普遍地用在多晶硅化物的結(jié)構(gòu)上。隨著VL⒏的發(fā)展,多晶硅電阻率偏大(最小為3OOuΩ・cm),將嚴(yán)重影響器件的速度。然而,在重?fù)诫s的多晶硅上(15OO~250OA)沉積一層WS圮(1000~⒛00A),經(jīng)過高溫退火(⒛0~l100℃)后,電阻率大大降低,可減至1.5Ω/□。