鎳硅化物(NiSi)。對(duì)于45nm及其以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體工藝過(guò)程,鎳硅化物(NiSi)正成為接觸應(yīng)用上的選擇材料。 EL5412IRZ相對(duì)于之前的鈦鈷硅化物而言,鎳硅化物具有一系列獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。

   鎳硅化物仍然沿用之前硅化物類(lèi)似的兩步退火工藝,但是退火溫度有了明顯降低(<600℃),這樣就大大減少對(duì)器件已形成的超淺結(jié)的破壞。從擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)的角度來(lái)說(shuō),較短的退火時(shí)間可以有效地抑制離子擴(kuò)散。因此,尖峰退火(Spikcannea1)越來(lái)越被用于鎳硅化物的第一次退火過(guò)程。該退火只有升降溫過(guò)程而沒(méi)有保溫過(guò)程,因此能大大限制已摻雜離子在硅化物形成過(guò)程中的擴(kuò)散。

   研究表明,線寬在40nm以下的鈷硅化物的電阻明顯升高,而鎳硅化物即使在3Onm以下都沒(méi)有出現(xiàn)線寬效應(yīng)。另外,鎳硅化物的形成過(guò)程對(duì)源/漏硅的消耗較少,而靠近表面的硅剛好是摻雜濃度最大的區(qū)域,因而對(duì)于降低整體的接觸電阻十分有利。鎳硅化物的反應(yīng)過(guò)程是通過(guò)鎳原子的擴(kuò)散完成的,因此不會(huì)有源漏和柵極之間的短路。同時(shí)鎳硅化物形成時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力最小。表2,12總結(jié)了鎳硅化物各項(xiàng)性能的優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比。