光刻膠的下面是最終要被刻蝕形成圖案的底層薄膜。如果這個底層是反光的, A3250JUATL那么光線將從這個膜層反射并有可能損害臨近的光刻膠。這個損害會對線寬控制產(chǎn)生不利的影響,因此需要使用抗反射涂層。兩種最主要的光反射問題是反射切口和駐波。

   在刻蝕形成的垂直側(cè)墻表面,反射光進入不需要曝光的光刻膠中就會形成反射切口。

   駐波表征入射光波和反射光波之間的干涉,這種干涉引起了隨光刻膠厚度變化的不均勻曝光。駐波的發(fā)生對深紫外光刻膠更加顯著,因為很多硅片表面在較短的深紫外波長反射更加厲害。駐波的發(fā)生本質(zhì)上降低了光刻膠成像的分辨率。減小駐波效應(yīng)的方法有抗反射涂層、染料、曝光后烘焙。

   底部抗反射涂層:該涂層有2種,即有機抗反射涂層(吸收光以減少反射)和無機反射涂層(通過特定波長相移相消起作用)。選擇抗反射涂層的一個因素是在完成光刻工藝后抗反射涂層被除去的能力。有些有機抗反射涂層是水溶的,通過顯影步驟很容易去除。無機反射涂層較難被去除,有時留在硅片上成為器件的一部分。頂部抗反射涂層:頂部抗反射涂層在光刻膠和空氣的交界面上減少反射。頂部抗反射涂層不吸收光,而是作為一個透明的薄膜干涉層,通過光線間的相干相消來消除反射。