首先,這三個(gè)名詞對(duì)應(yīng)的應(yīng)用應(yīng)該是一樣的,都是利用硅化物來降低Poly上的連接電阻。EL5423CLZ但生成的工藝是不一樣的。silicidc是指金屬硅化物,是由金屬和硅經(jīng)過物理一化學(xué)反應(yīng)形成的一種化合態(tài),其導(dǎo)電特性介于金屬和硅之間,而Polycidc和salicidc則分別對(duì)應(yīng)不同的形成Silicidc的工藝流程。

   Po1ycidc:柵氧化層完成以后,繼續(xù)在其上面生長(zhǎng)多晶硅,然后在Poly上繼續(xù)生長(zhǎng)金屬硅化物(silicide),一般為Ws砬(硅化鎢)和△s砬(硅化鈦)薄膜,然后再進(jìn)行柵極刻蝕和有源區(qū)注入等其他工序,完成整個(gè)芯片制造。Salicidc:它的生成比較復(fù)雜,先是完成柵刻蝕及源漏注入以后,以濺射的方式在Poly上沉積一層金屬層(一般為△、Co或Ni),然后進(jìn)行第一次快速熱退火處理(RapⅡ Thcmal Amcal,RTA),使多晶硅表面和沉積的金屬發(fā)生反應(yīng),形成金屬硅化物。根據(jù)退火溫度設(shè)定,使得其他絕緣層(氮化硅或二氧化硅)上的沉積金屬不能跟絕緣層反應(yīng)產(chǎn)生不希望的硅化物,因此是一種自對(duì)準(zhǔn)的過程。然后再用一種選擇性強(qiáng)的濕法刻蝕(NH40H/H202/H20或H2s04/H20的混合液)清除不需要的金屬沉積層,留下柵極及其他需要做硅化物的salicidc。另外,還可以經(jīng)過多次退火形成更低阻值的硅化物連接。與Polycide不同的是,salicidc可以同時(shí)形成有源區(qū)SD接觸的硅化物,降低其接觸孔的歐姆電阻,在深亞微米器件中,減少由于尺寸降低帶來的相對(duì)接觸電阻的提升。另外,在制作高值Poly電阻時(shí),必須專門有一層用來避免在Poly上形成salicidc,否則電阻值較低。