多層金屬化產(chǎn)生了數(shù)量很多的接觸孔,這些接觸孔要使用金屬填充塞來(lái)填充, EL5423CR以便在兩層金屬之間形成連接通路。接觸填充薄膜被用于連接硅襯底中器件和第一層金屬化。目前被用于填充的最普通的金屬是鎢,因此填充薄膜常常被稱(chēng)為鎢填充薄膜。鎢具有均勻填充高深寬比通孔的能力,因此被選為傳統(tǒng)的填充材料。濺射的鋁不能填充具有高深寬的通孔�；谶@個(gè)原因,鋁被用做互連材料,鎢被限于做填充材料。通常CVD W的第一步是沉積△N/Ti阻擋層,在TN被沉積之前沉積△,以使它和下層材料反應(yīng),降低接觸電阻�！骱凸璺磻�(yīng)形成πSi2�！鱯砬作為鎢的阻擋層金屬和附著加固劑,它需要一個(gè)最小約50A的底層厚度,具有連續(xù)的側(cè)墻覆蓋以形成一個(gè)有效的阻擋層金屬并且避免鎢侵蝕下層材料。

   cVD W工藝完成以后,在介質(zhì)層上的墊膜鎢必須消除。線(xiàn)寬較大的工藝中,墊膜鎢的消除是由鎢反刻并留下經(jīng)平坦化后的填充薄膜來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在0.25um或更小的器件中,由化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)完成的鎢平坦化是首選的過(guò)程。阻擋層金屬比如△N和△被用于防止鎢和硅之間的擴(kuò)散。墊膜鎢的工藝過(guò)程如圖2。⒛所示。