芯片制造過程中特別容易產(chǎn)生靜電放電,因?yàn)樾酒庸ねǔＪ窃谳^低的濕度(典型條件為40%±10%)環(huán)境條件下進(jìn)行的,這種條件容易生成較高級別的靜電荷, CY7C128-45DMB雖然增加相對濕度可以減少靜電荷生成,但也會增加潮濕帶來的污染,因而這種方法并不實(shí)用。

   盡管靜電放電發(fā)生時(shí)轉(zhuǎn)移的靜電總量通常很小(納庫倫級別),然而放電的能量積聚在芯片上很小的一個區(qū)域內(nèi)。發(fā)生在幾納秒內(nèi)的靜電放電能產(chǎn)生超過1A的峰值電流,導(dǎo)致金屬連線燒毀和穿透氧化層,成為柵氧化層擊穿的原因。

    靜電對元件的封裝區(qū)域也有特別的影響,這樣就要求在敏感的元器件(如大矩陣內(nèi)存)的加工和運(yùn)輸中采用防靜電裝置。光刻掩膜工藝的掩膜版對靜電放電也非常敏感。放電可氣化并損壞鍍鉻掩膜層。有些設(shè)備故障也與靜電有關(guān),特別是機(jī)械手、晶圓傳送器、測量儀器。晶圓通常由PFA材料制的機(jī)械手送入設(shè)備中。這種材料是防化學(xué)腐蝕的,但不導(dǎo)電。靜電存在晶圓里,但無法從機(jī)械手泄放。當(dāng)機(jī)械手靠近設(shè)備的金屬部分時(shí),晶圓表面的靜電就會對設(shè)備放電,產(chǎn)生的電磁干擾就會影響設(shè)備的正常工作。

   靜電控制包括防止靜電堆積和防止放電兩個方面,防止靜電堆積可使用防靜電服、防靜電周轉(zhuǎn)箱和防靜電存儲盒。防止靜電放電的方法包括使用電離器和使用靜電接地帶,電離器一般放在HEPA過濾器的下面,中和過濾器上堆積的靜電,也包括人員的接地腕帶和工作臺接地墊等。