氧化工藝的分步驟
發(fā)布時(shí)間:2016/6/17 21:16:53 訪問次數(shù):707
工藝步驟的增加同時(shí)提高了另外4個(gè)成品率制約因素對工藝中晶圓產(chǎn)生影響的可能性。 H12WD48125例如,要想在一個(gè)50步的工藝流程上獲得75%的累積成品率,每單步的成品率必須達(dá)到99.4%。如果一個(gè)工序步驟只能達(dá)到50%的成品率,整體的累計(jì)成品率不會(huì)超過50%。每個(gè)主要工藝操作都包含了許多工藝步驟及分步,這使得晶圓生產(chǎn)部門面臨著日益升高的壓力。在表3.14所示的11步工藝流程中,第一步是氧化工藝。一個(gè)簡單的氧化工藝需要完成幾個(gè)工藝步驟,分別是清洗、氧化和評估。它們每一步都包含有分步驟。表3.15中列出了典型的氧化清洗工藝所包含的8個(gè)分步驟。每一個(gè)分步驟都存在污染晶圓、打碎晶圓或者損傷晶圓的可能。
工藝步驟的增加同時(shí)提高了另外4個(gè)成品率制約因素對工藝中晶圓產(chǎn)生影響的可能性。 H12WD48125例如,要想在一個(gè)50步的工藝流程上獲得75%的累積成品率,每單步的成品率必須達(dá)到99.4%。如果一個(gè)工序步驟只能達(dá)到50%的成品率,整體的累計(jì)成品率不會(huì)超過50%。每個(gè)主要工藝操作都包含了許多工藝步驟及分步,這使得晶圓生產(chǎn)部門面臨著日益升高的壓力。在表3.14所示的11步工藝流程中,第一步是氧化工藝。一個(gè)簡單的氧化工藝需要完成幾個(gè)工藝步驟,分別是清洗、氧化和評估。它們每一步都包含有分步驟。表3.15中列出了典型的氧化清洗工藝所包含的8個(gè)分步驟。每一個(gè)分步驟都存在污染晶圓、打碎晶圓或者損傷晶圓的可能。
上一篇:晶圓破碎和彎曲
熱門點(diǎn)擊
- 臺(tái)階覆蓋
- EPA區(qū)域
- N、P阱的形成
- 熱載流子效應(yīng)的影響因素
- Al膜的電遷移
- 器件的特征尺寸不斷縮小
- 漏極電壓―定時(shí)柵壓與襯底電流的關(guān)系
- 不潤濕及反潤濕
- 拆包時(shí)注意保護(hù)好包材(包裝材料)的完整性
- 發(fā)展高新技術(shù)必須要有先進(jìn)的儀器儀表作依托
推薦技術(shù)資料
- 100V高頻半橋N-溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)
- 集成高端和低端 FET 和驅(qū)動(dòng)
- 柵極驅(qū)動(dòng)單片半橋芯片MP869
- 數(shù)字恒定導(dǎo)通時(shí)間控制模式(COT)應(yīng)用探究
- 高效率 (CSP/QFN/BG
- IC 工藝、封裝技術(shù)、單片設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究