晶圓破碎和彎曲
發(fā)布時(shí)間:2016/6/17 21:18:15 訪問次數(shù):1399
晶圓破碎和彎曲。在晶圓生產(chǎn)過程中,晶圓本身會(huì)通過很多次的手工和自動(dòng)的操作。H12WD4825每一次操作都存在將這些晶圓打破的可能性。設(shè)想一下,典型30Omm(12英寸)晶圓的厚度只有大約800um厚。必須要小心操作晶圓,自動(dòng)化的操作臺(tái)必須將晶圓被打碎的可能性減為最小。
對(duì)晶圓的多次熱處理使得晶圓更容易破裂。熱處理造成晶格結(jié)構(gòu)上的損傷導(dǎo)致晶圓在后續(xù)步驟中增加了破碎的機(jī)會(huì)。在手動(dòng)的工藝過程中,還有機(jī)會(huì)對(duì)破碎的晶圓進(jìn)行后續(xù)生產(chǎn)。而自動(dòng)化的生產(chǎn)設(shè)各只能處理完整的晶圓。因此,如果破碎,不論破碎大小,整片晶圓都將被拒收并丟棄。
如果操作得當(dāng),硅晶圓相對(duì)而言易于操作,并且自動(dòng)化的設(shè)備已經(jīng)把晶圓的破碎降到了很低的水平。但是砷化鎵晶圓就沒有這么好的彈性,晶圓破碎是限制其良率的主要因素。由于砷化鎵電路和器件具有很高的性能和高昂的價(jià)格,所以在砷化鎵生產(chǎn)線上,對(duì)破碎晶圓的繼續(xù)生產(chǎn)是可能的,特別是通過手動(dòng)的工藝。
在盡量減少晶圓破碎的同時(shí),晶圓的表面在整個(gè)生產(chǎn)過程中必須保持平整。這一點(diǎn)對(duì)于使用光刻技術(shù)將電路圖案投射到晶圓表面的晶圓生產(chǎn)至關(guān)重要。如果晶圓表面彎曲或起伏不定,投射到晶圓表面的圖像會(huì)扭曲變形,并且圖像尺寸會(huì)超出工 藝標(biāo)準(zhǔn)。晶圓的彎曲主要?dú)w因于晶圓在反應(yīng)管中的快速加熱/冷卻。
晶圓破碎和彎曲。在晶圓生產(chǎn)過程中,晶圓本身會(huì)通過很多次的手工和自動(dòng)的操作。H12WD4825每一次操作都存在將這些晶圓打破的可能性。設(shè)想一下,典型30Omm(12英寸)晶圓的厚度只有大約800um厚。必須要小心操作晶圓,自動(dòng)化的操作臺(tái)必須將晶圓被打碎的可能性減為最小。
對(duì)晶圓的多次熱處理使得晶圓更容易破裂。熱處理造成晶格結(jié)構(gòu)上的損傷導(dǎo)致晶圓在后續(xù)步驟中增加了破碎的機(jī)會(huì)。在手動(dòng)的工藝過程中,還有機(jī)會(huì)對(duì)破碎的晶圓進(jìn)行后續(xù)生產(chǎn)。而自動(dòng)化的生產(chǎn)設(shè)各只能處理完整的晶圓。因此,如果破碎,不論破碎大小,整片晶圓都將被拒收并丟棄。
如果操作得當(dāng),硅晶圓相對(duì)而言易于操作,并且自動(dòng)化的設(shè)備已經(jīng)把晶圓的破碎降到了很低的水平。但是砷化鎵晶圓就沒有這么好的彈性,晶圓破碎是限制其良率的主要因素。由于砷化鎵電路和器件具有很高的性能和高昂的價(jià)格,所以在砷化鎵生產(chǎn)線上,對(duì)破碎晶圓的繼續(xù)生產(chǎn)是可能的,特別是通過手動(dòng)的工藝。
在盡量減少晶圓破碎的同時(shí),晶圓的表面在整個(gè)生產(chǎn)過程中必須保持平整。這一點(diǎn)對(duì)于使用光刻技術(shù)將電路圖案投射到晶圓表面的晶圓生產(chǎn)至關(guān)重要。如果晶圓表面彎曲或起伏不定,投射到晶圓表面的圖像會(huì)扭曲變形,并且圖像尺寸會(huì)超出工 藝標(biāo)準(zhǔn)。晶圓的彎曲主要?dú)w因于晶圓在反應(yīng)管中的快速加熱/冷卻。
熱門點(diǎn)擊
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