為了控制沾污,半導(dǎo)體集成電路的制造都在凈化間內(nèi)完成,凈化間除需要保持一定的凈化級(jí)別外,OP213FSZ-REEL還需滿(mǎn)足恒溫、恒濕等環(huán)境要求。CMOS工藝是當(dāng)今半導(dǎo)體制造的主流工藝,遵循摩爾定律,向更小的特征尺寸和更高的集成度發(fā)展。

   半導(dǎo)體集成電路制造的環(huán)境要求

    為保證集成電路功能正常,半導(dǎo)體制造需要嚴(yán)格控制生產(chǎn)線免受沾污。沾污是指集成電路制造過(guò)程中在硅片上引入的任何危害電學(xué)性能及芯片良率的物質(zhì)。沾污通常產(chǎn)生缺陷,致命缺陷將導(dǎo)致芯片失效。據(jù)估計(jì),80%的芯片電失效是由沾污帶來(lái)的缺陷引起的。為實(shí)現(xiàn)沾污控制,集成電路制造需要在凈化間(超凈間)內(nèi)完成。

    沾污對(duì)器件可靠性的影響

   諍化間的沾污主要有五種:顆粒、金屬雜質(zhì)、有機(jī)物沾污、自然氧化層及靜電放電。

   顆粒能引起集成電路開(kāi)路或短路。隨著芯片的特征尺寸越來(lái)越小,顆粒造成的危害也越來(lái)越大。半導(dǎo)體制造中,尺寸小于器件特征尺寸一半的顆粒是可以接受的,大于這個(gè)尺寸的顆粒將會(huì)引起致命的缺陷。

   金屬雜質(zhì)沾污中,典型金屬雜質(zhì)是堿金屬,堿金屬通常來(lái)自于化學(xué)溶液或半導(dǎo)體制造中的各個(gè)工序。金屬離子可以與硅片表面的氫原子交換電荷而被束縛在硅片表面,也可以在硅片表面氧化時(shí)分布于氧化層內(nèi)。束縛在硅片表面的金屬離子很難去除,分布于氧化層內(nèi)的金屬可通過(guò)去除硅片表面的氧化層去除。金屬雜質(zhì)將導(dǎo)致氧化物――多晶硅柵結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)性缺陷、PN結(jié)漏電增加及減少少數(shù)載流子壽命。當(dāng)金屬雜質(zhì)成為可動(dòng)金屬離子時(shí)會(huì)在整個(gè)硅片中移動(dòng),嚴(yán)重?fù)p害器件電學(xué)性能和長(zhǎng)期可靠性。