有機(jī)物沾污主要是指含碳物質(zhì)。有機(jī)物沾污的一些來(lái)源包括細(xì)菌、蒸氣、清潔劑、溶劑及潮氣等。 OP213FSZ-REEL7在特定的工藝條件下,微量有機(jī)物沾污能降低柵氧化層材料的致密性。

   當(dāng)硅片暴露于空氣或含溶解氧的去離子水中時(shí),硅片表面將被氧化,生成一層薄的自然氧化層。自然氧化層的厚度隨暴露時(shí)間的增長(zhǎng)而增加。自然氧化層將會(huì)對(duì)其他的工藝步驟產(chǎn)生影響,如外延的生長(zhǎng)、超薄柵氧化層的生長(zhǎng)等。自然氧化層也可能含有某些可動(dòng)金屬離子。自然氧化層存在于金屬半導(dǎo)體的歐姆接觸區(qū)將會(huì)導(dǎo)致器件接觸電阻增加,甚至導(dǎo)致金屬和有源區(qū)不能接觸。

   靜電釋放也是一種形式的沾污,靜電荷轉(zhuǎn)移時(shí)可能損害芯片。靜電放電的能量積累在硅片表面很小的一個(gè)區(qū)域內(nèi)。發(fā)生在幾納秒內(nèi)的靜電釋放能產(chǎn)生超過(guò)1A的峰值電流,可能使得金屬互連線蒸發(fā)。靜電釋放也可能導(dǎo)致柵氧化層被擊穿,使得器件在出廠前就己經(jīng)損壞。另外,靜電釋放導(dǎo)致電荷在硅片表面積累,積累的電荷

產(chǎn)生的電場(chǎng)能吸引帶電顆�；驑O化并吸引中性顆粒到硅片表面。隨著器件關(guān)鍵尺寸的縮小,靜電釋放對(duì)更小顆粒的吸引變得越來(lái)越重要。