有機物沾污主要是指含碳物質(zhì)。有機物沾污的一些來源包括細菌、蒸氣、清潔劑、溶劑及潮氣等。 OP213FSZ-REEL7在特定的工藝條件下,微量有機物沾污能降低柵氧化層材料的致密性。

   當硅片暴露于空氣或含溶解氧的去離子水中時,硅片表面將被氧化,生成一層薄的自然氧化層。自然氧化層的厚度隨暴露時間的增長而增加。自然氧化層將會對其他的工藝步驟產(chǎn)生影響,如外延的生長、超薄柵氧化層的生長等。自然氧化層也可能含有某些可動金屬離子。自然氧化層存在于金屬半導體的歐姆接觸區(qū)將會導致器件接觸電阻增加,甚至導致金屬和有源區(qū)不能接觸。

   靜電釋放也是一種形式的沾污,靜電荷轉移時可能損害芯片。靜電放電的能量積累在硅片表面很小的一個區(qū)域內(nèi)。發(fā)生在幾納秒內(nèi)的靜電釋放能產(chǎn)生超過1A的峰值電流,可能使得金屬互連線蒸發(fā)。靜電釋放也可能導致柵氧化層被擊穿,使得器件在出廠前就己經(jīng)損壞。另外,靜電釋放導致電荷在硅片表面積累,積累的電荷

產(chǎn)生的電場能吸引帶電顆�；驑O化并吸引中性顆粒到硅片表面。隨著器件關鍵尺寸的縮小,靜電釋放對更小顆粒的吸引變得越來越重要。