sTI形成后器件的剖面圖
發(fā)布時(shí)間:2016/6/18 20:44:35 訪問次數(shù):881
去掉光刻膠后在1000℃下熱生長(zhǎng)二氧化硅(稱為Rounding oxide)。此OP220GS步驟是為了使得淺槽底部角落處的尖角變得圓滑(尖角易引起擊穿電壓的降低和產(chǎn)生漏電)。隨后采用低壓氣相沉積S⒑2,在950℃,02和N2氛圍下進(jìn)行致密化處理。接著采用化學(xué)機(jī)械拋光(Chcmical Mcchanical Plan舶z齟on,CMP)的方法進(jìn)行平坦化處理,然后去掉s圮N4和s⒑2。最后在900℃下生長(zhǎng)so2。此步驟生長(zhǎng)s⒑2是為隨后的離子注入做注入阻擋層,如圖4.4所示。
去掉光刻膠后在1000℃下熱生長(zhǎng)二氧化硅(稱為Rounding oxide)。此OP220GS步驟是為了使得淺槽底部角落處的尖角變得圓滑(尖角易引起擊穿電壓的降低和產(chǎn)生漏電)。隨后采用低壓氣相沉積S⒑2,在950℃,02和N2氛圍下進(jìn)行致密化處理。接著采用化學(xué)機(jī)械拋光(Chcmical Mcchanical Plan舶z齟on,CMP)的方法進(jìn)行平坦化處理,然后去掉s圮N4和s⒑2。最后在900℃下生長(zhǎng)so2。此步驟生長(zhǎng)s⒑2是為隨后的離子注入做注入阻擋層,如圖4.4所示。
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