通孔腐蝕
發(fā)布時(shí)間:2016/6/19 18:22:03 訪問(wèn)次數(shù):482
金屬層2
沉積siN作為刻蝕阻擋層。涂覆低EP2AGX45DF25C5N佬介質(zhì)。沉積SiO2,作為刻蝕的終點(diǎn)層。二次涂覆低庀介質(zhì),再沉積s⒑2。隨后進(jìn)行通孔1的光刻,接著腐蝕二氧化硅和低屁介質(zhì),形成通孔,如圖4.26所示。
金屬層2
沉積siN作為刻蝕阻擋層。涂覆低EP2AGX45DF25C5N佬介質(zhì)。沉積SiO2,作為刻蝕的終點(diǎn)層。二次涂覆低庀介質(zhì),再沉積s⒑2。隨后進(jìn)行通孔1的光刻,接著腐蝕二氧化硅和低屁介質(zhì),形成通孔,如圖4.26所示。
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