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金屬層1

發(fā)布時間:2016/6/19 18:19:47 訪問次數(shù):546

    涂覆低庀介質(zhì),接著沉積So2。隨后進行EP20K600EFC672-2X金屬1的光刻,腐蝕Sio2和低庀介形成金屬1填充的凹槽,如圖4.24所示。

   圖424 金屬l凹槽

   沉積Ta作為銅浸潤層,采用CVD法沉積金屬銅,金屬l凹槽被銅填充,接著用CMP方法去除圓片表面的銅,最終形成金屬1的互連。如圖4.25所示。

   

 

    涂覆低庀介質(zhì),接著沉積So2。隨后進行EP20K600EFC672-2X金屬1的光刻,腐蝕Sio2和低庀介形成金屬1填充的凹槽,如圖4.24所示。

   圖424 金屬l凹槽

   沉積Ta作為銅浸潤層,采用CVD法沉積金屬銅,金屬l凹槽被銅填充,接著用CMP方法去除圓片表面的銅,最終形成金屬1的互連。如圖4.25所示。

   

 

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