介質(zhì)膜
發(fā)布時間:2016/6/20 21:30:11 訪問次數(shù):1019
介質(zhì)膜;ミB線HBD040YED-A上覆蓋介質(zhì)膜(鈍化層)后,不僅可防止鋁條的意外劃傷、腐蝕及離子沾污,也可提高其抗電遷移及電浪涌能力。介質(zhì)膜能提高抗電遷移的能力,是因表面覆有時降低了金屬離子從體內(nèi)向表面運動的概率,抑制了表面擴(kuò)散,也降低了晶體內(nèi)部肖特基空位濃度。另外,表面的介質(zhì)膜可作為熱沉使金屬條自生的焦耳熱能從布線的雙面導(dǎo)出,降低金屬條的溫升及溫度梯度。
合金效應(yīng)。鋁中摻雜如Cu、si等少量雜質(zhì)時,硅在鋁中溶解度降低,大部分硅原子在晶粒邊界處沉積,并且硅原子半徑比鋁原子大,降低了鋁原子沿晶界的擴(kuò)散作用,能提高鋁的抗電遷移能力。當(dāng)布線進(jìn)入亞微米量級,線條很細(xì),雜質(zhì)在晶界處集積使電阻率提高,產(chǎn)生電流擁擠效應(yīng)。
脈沖電流。電遷移討論中多針對電流是穩(wěn)定直流的情況,實際電路中的電流可為交流或脈沖工作,此時其r血TTF的預(yù)計可根據(jù)電流密度的平均值J及電流密度絕對值|J|來計算。
介質(zhì)膜;ミB線HBD040YED-A上覆蓋介質(zhì)膜(鈍化層)后,不僅可防止鋁條的意外劃傷、腐蝕及離子沾污,也可提高其抗電遷移及電浪涌能力。介質(zhì)膜能提高抗電遷移的能力,是因表面覆有時降低了金屬離子從體內(nèi)向表面運動的概率,抑制了表面擴(kuò)散,也降低了晶體內(nèi)部肖特基空位濃度。另外,表面的介質(zhì)膜可作為熱沉使金屬條自生的焦耳熱能從布線的雙面導(dǎo)出,降低金屬條的溫升及溫度梯度。
合金效應(yīng)。鋁中摻雜如Cu、si等少量雜質(zhì)時,硅在鋁中溶解度降低,大部分硅原子在晶粒邊界處沉積,并且硅原子半徑比鋁原子大,降低了鋁原子沿晶界的擴(kuò)散作用,能提高鋁的抗電遷移能力。當(dāng)布線進(jìn)入亞微米量級,線條很細(xì),雜質(zhì)在晶界處集積使電阻率提高,產(chǎn)生電流擁擠效應(yīng)。
脈沖電流。電遷移討論中多針對電流是穩(wěn)定直流的情況,實際電路中的電流可為交流或脈沖工作,此時其r血TTF的預(yù)計可根據(jù)電流密度的平均值J及電流密度絕對值|J|來計算。
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