抗電遷移措施可從設(shè)計(jì)、工藝、材料芯片表面和覆蓋介質(zhì)膜方面進(jìn)行考慮。

   (1)設(shè)計(jì)。合理進(jìn)OMI-SS-112L行電路版圖設(shè)計(jì)及熱設(shè)計(jì),盡可能增加條寬,降低電流密度,采用合適的金屬化圖形(如網(wǎng)絡(luò)狀圖形比樹(shù)狀結(jié)構(gòu)好),使有源器件分散。增大芯片面積,合理選擇封裝形式,必要時(shí)加裝散熱器防止熱不均勻性和降低芯片溫度,減小熱阻,有利于散熱。

   (2)工藝。嚴(yán)格控制工藝,加強(qiáng)鏡檢,減少膜損傷,增大鋁晶粒寸。大晶粒鋁層的無(wú)規(guī)則性變?nèi)?晶界擴(kuò)散減少,激活能提高,中位壽命增加。蒸鋁時(shí)提高芯片溫度,減緩沉積速度及沉積后進(jìn)行適當(dāng)?shù)臒崽幚砜色@得大晶粒結(jié)構(gòu),但晶粒過(guò)大會(huì)防礙光刻和鍵合,所以晶粒尺寸應(yīng)選擇得當(dāng)。工藝中也應(yīng)使臺(tái)階處覆蓋良好。

   (3)材料�？捎霉�(銅)―鋁合金或難溶金屬硅化物代替純鋁。在ULsI電路進(jìn)一步的發(fā)展中,目前已采用銅做互連材料。此時(shí)以鋁基材料做互連線使用,其電導(dǎo)率不夠高,抗電遷移性能差,已不適應(yīng)要求。銅的導(dǎo)電性好,用直流偏置射頻濺射方法生成薄膜,并經(jīng)在氮?dú)庀?50℃退火30min,可得到大晶粒結(jié)構(gòu)的銅薄層,其電阻率僅為1.76uΩ・cm。激活能凡為1.%eV,幾乎比A1―⒐―Cu的(0.⒍cV)大兩倍。在同樣電流密度下,壽命將比Al―Si―Cu長(zhǎng)1~2個(gè)數(shù)量級(jí)。