NBTI效應(yīng)的氧化層電場指數(shù)昭(叫p在1.5~3.0之間。激活能(凡)的范圍在0.15~0.325cV之間, OF140HC50D并且可以增加一些附加的指數(shù)或采用凡±σ凡的分布,當然最終的形式取決于究竟是什么限制了反應(yīng)動力學和其中參與的物質(zhì)的不同,可能的反應(yīng)物包括H20、H+、SⅡ、SN、S⒑、SJ等。如果考慮到與應(yīng)力時間r的關(guān)系,更多的數(shù)據(jù)表明界面態(tài)和固定電荷與應(yīng)力作用時間有著相同的關(guān)系r⒍25。盡管 可能會觀察到一些偏差,但這個時間的依賴關(guān)系一般在0,2~0.3之間。

   由于NBTI激活能和控制NBTI退化機制的反應(yīng)動力學的變化,有必要使用可靠性統(tǒng)計模型預(yù)測IC性能、成品率和可靠性。隨著芯片制造中器件數(shù)量和復(fù)雜度的增加,這個重要性也不斷增加。精確的確定快漂移動器件與慢漂移器件在統(tǒng)計分布偏移中意味著成功的產(chǎn)品。近年的研究還沒有充分解決這些問題。