氫是MOs集成電路氧化層最常見(jiàn)的雜質(zhì),在IC黹刂造的不同階段都有可能被引入到氧化層中,OF140SA100D如氮化沉積和退火過(guò)程等。氫在干氧中的濃度大約為1019Gm3,在濕氧中濃度大約為1yOcm3。它在氧化層中的分布不均勻,在si/s⒑2界面處會(huì)有大量堆積。根據(jù)工藝和退火條件的不同還會(huì)有更高濃度的氫氣產(chǎn)生。氫可以以原子態(tài)HO存在,也可以以氫分子H2的形式存在,還有諸如正電性的氫或質(zhì)H+、氫氧基團(tuán)OH、水合氫離子H30+、氧化氫離子OH。當(dāng)硅氫鍵斷裂后形成界面態(tài)nt,氮化柵氧層中的H與N之間的相互作用也值得關(guān)注。在NBTI的應(yīng)力期間,因?yàn)榫?/span>有較低的激活能,可動(dòng)氫離子更可能與si―N鍵中的N結(jié)合而不是si―o鍵。因此,在氮化的氧化層中更易形成固定正電荷g,導(dǎo)致NBTI退化的增加。

   氘已經(jīng)被證明能降低NBTI。氘(D)是比氫重的H的一種穩(wěn)定的同位素,自然含量為0.015%,在其核內(nèi)包含一個(gè)質(zhì)子和一個(gè)中子。由于具有更重的質(zhì)量或具有同位素效應(yīng),⒏一D結(jié)合得更緊密,具有更強(qiáng)的抗NBTI和HCI效應(yīng)的能力。研究表明采用D鈍化后的NBTI退化與采用H鈍化后的NBTI相比展示了平行的漂移,即都具有尸5的關(guān)系。