PCM技術(shù)具有準(zhǔn)確、方便的DAC08HQ優(yōu)點(diǎn),該技術(shù)在工藝線上的應(yīng)用,成為工藝質(zhì)量保證的重要方法,從技術(shù)上來(lái)說(shuō)它具有以下作用:工藝參數(shù)提取、進(jìn)行工藝監(jiān)測(cè)、為sPC控制提供數(shù)據(jù),通過(guò)PCM測(cè)試發(fā)現(xiàn)和修改圖形庫(kù)中測(cè)試結(jié)構(gòu)存在的問(wèn)題。通過(guò)PCM監(jiān)測(cè)及時(shí)反映工藝中存在的質(zhì)量問(wèn)題,如埋層電阻的監(jiān)測(cè)反映外延工藝前的腐蝕工藝和外延生長(zhǎng)初始階段工藝控制情況。當(dāng)控制不當(dāng)時(shí),埋層電阻增大,那么同一批電路的埋層電阻過(guò)大,集電極串聯(lián)電阻增大,飽和壓降過(guò)高,電路功能發(fā)生變化。因此薄層電阻作為基本參數(shù)在工藝中是要嚴(yán)格監(jiān)測(cè)和控制的。

   由于MOs電路與雙極電路工藝不同,采用的PCM壩刂試結(jié)構(gòu)也不一樣,作用也就不同,以下分別進(jìn)行描述。

   MOS電路的PCM測(cè)試結(jié)構(gòu)的作用。MOs單管結(jié)構(gòu),包括相同溝道寬度不同溝道長(zhǎng)度的N管和P管、不同溝道寬度的N管和P管、寬溝道的N管和P管,主要用來(lái)考察器件參數(shù)和進(jìn)行器件模型參數(shù)提取;PN結(jié)結(jié)構(gòu),包括疒`結(jié)和N+″二極管等,主要用來(lái)考察結(jié)特性和完整性;電阻結(jié)構(gòu),包括N+、蘆電阻,N、P阱電阻,多晶硅電阻等,主要用來(lái)考察各種擴(kuò)散及注入薄層電阻。介質(zhì)結(jié)構(gòu),包括絕緣介質(zhì)電容、柵氧化層電容等,主要用來(lái)考察介質(zhì)的絕緣性、柵氧化層完整性;金屬化測(cè)試結(jié)構(gòu),包括金屬電阻、橋接和連續(xù)性、金屬條等,主要用來(lái)考察金屬薄層電阻、金屬抗電遷移能力、金屬間短斷路、金屬晶粒的大小;接觸測(cè)試結(jié)構(gòu),包括接觸電阻、接觸孔鏈、金屬通孔鏈等,主要用來(lái)考察接觸電阻的大小,也就反映接觸窗口工藝及半導(dǎo)體摻雜工藝的質(zhì)量。