鋁與二氧化硅

   以硅基為材料的微電子器件中,⒏%層作為介質(zhì)膜的應(yīng)用廣泛,而鋁常用Q2006RH4做互連線的材料,S⒑2與鋁在高溫時(shí)將發(fā)生化學(xué)反應(yīng):

   4Al+3Sio2-÷2A103+3si

   使鋁層變薄,若So2層因反應(yīng)消耗而耗盡,則造成鋁硅直接接觸。這是一種潛在的失效機(jī)制,尤其對(duì)功率器件,結(jié)溫高,易產(chǎn)生熱斑,熱斑處A1―So2反應(yīng)造成PN結(jié)短路。

   克服措施是有版圖設(shè)計(jì)時(shí)考慮熱分布均勻、散熱好、熱阻低。采用如So2一Al―s⒑2或si3N4―s⒑2復(fù)合鈍化層,用雙層金屬如△―Al、W―Al等代替單一鋁互連線。