直流電壓作用下,熱載流子注入效應(yīng)產(chǎn)生的退化發(fā)生在最大襯底電流(NMOs管)或最大柵極電流(PMOs管)附近。實(shí)際上在CMOs電路的瞬態(tài)期間,IXFM21N50直流偏置的加速退化作用是在同時(shí)進(jìn)行的,因此交流失效時(shí)間可以從直流失效時(shí)間轉(zhuǎn)換過來。利用交流與直流的比例系數(shù)可以計(jì)算交流失效時(shí)間,該比例系數(shù)等于循環(huán)周期除以波形的上升時(shí)間和下降時(shí)間之和,交流失效時(shí)間等于該比例系數(shù)乘以直流失效時(shí)間。這種方法容易使用,計(jì)算的失效時(shí)間也有足夠的精度,但往往過高估計(jì)了熱載流子注入效應(yīng)產(chǎn)生的退化。

    交流與直流的實(shí)際比例系數(shù)可以從MOSFET的交流波形作用的測(cè)試中獲得。交流波形可以用脈沖信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生,也可以在測(cè)試芯片上設(shè)計(jì)一個(gè)環(huán)形震蕩器產(chǎn)生交流波形,以避免交流波形寄生效應(yīng)的影響。另外,也可用可靠性軟件來估計(jì)交流失效的時(shí)間。