失效模式。雙極性A387B淺結(jié)器件E―B結(jié)退化,硅一鋁反應(yīng)形成的滲透坑多發(fā)生在接觸孔四周,這是因為該處溶解的硅可向旁側(cè)擴散,降低了界面處硅的含量,允許硅進(jìn)一步溶解。另外邊緣處⒏o2與硅應(yīng)力增大了該處的溶解能力,所以在接觸窗口邊緣,能發(fā)生較深的滲透坑。這在雙極性小功率淺結(jié)器件(如微波器件、超高速ECL電路)中容易引起E―B結(jié)退化,反向漏電增加,擊穿特性由原來的硬擊穿變?yōu)檐洆舸?明顯地表現(xiàn)為一個電阻跨接在E―B結(jié)上,嚴(yán)重時造成如圖5.28所示的PN結(jié)短路。鋁的合金化過程中,或者在器件受到強電流沖擊的過電應(yīng)力時,常發(fā)生這類失效。