測(cè)試氧化層測(cè)試結(jié)構(gòu)
發(fā)布時(shí)間:2016/6/25 22:44:04 訪問(wèn)次數(shù):483
在設(shè)計(jì)和測(cè)試氧化層測(cè)試結(jié)構(gòu)時(shí),應(yīng)當(dāng)考慮到表面漏電流產(chǎn)生的誤差。表面漏DAC08CS電可以表現(xiàn)為氧化層測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試點(diǎn)之間的低電阻值,實(shí)際漏電位置與設(shè)計(jì)有關(guān),可能是測(cè)試點(diǎn)之間的直接漏電,或者連接到測(cè)試結(jié)構(gòu)的金屬線之間的漏電。當(dāng)在一個(gè)濕度較低的環(huán)境中測(cè)試,或者由于鈍化層的存在,有助于限制表面漏電流,表面漏電就不會(huì)產(chǎn)生明顯的問(wèn)題。
測(cè)試氧化層測(cè)試結(jié)構(gòu)時(shí),與電流源有關(guān)的問(wèn)題包括:高場(chǎng)時(shí)產(chǎn)生的穿透電流、斜坡上升過(guò)程中產(chǎn)生的位移電流、絕緣層擊穿時(shí)產(chǎn)生的峰值電流、相鄰結(jié)構(gòu)和連接線的漏電流。避免電流引起的問(wèn)題采用的措施有:使用寬條金屬和多晶連接線;使用多個(gè)并行的連接孔和通孔;避免絕緣層擊穿產(chǎn)生的峰值電流期間的電路開路、穿透電流產(chǎn)生的電遷移現(xiàn)象和電容上產(chǎn)生明顯的電壓降。
在設(shè)計(jì)和測(cè)試氧化層測(cè)試結(jié)構(gòu)時(shí),應(yīng)當(dāng)考慮到表面漏電流產(chǎn)生的誤差。表面漏DAC08CS電可以表現(xiàn)為氧化層測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試點(diǎn)之間的低電阻值,實(shí)際漏電位置與設(shè)計(jì)有關(guān),可能是測(cè)試點(diǎn)之間的直接漏電,或者連接到測(cè)試結(jié)構(gòu)的金屬線之間的漏電。當(dāng)在一個(gè)濕度較低的環(huán)境中測(cè)試,或者由于鈍化層的存在,有助于限制表面漏電流,表面漏電就不會(huì)產(chǎn)生明顯的問(wèn)題。
測(cè)試氧化層測(cè)試結(jié)構(gòu)時(shí),與電流源有關(guān)的問(wèn)題包括:高場(chǎng)時(shí)產(chǎn)生的穿透電流、斜坡上升過(guò)程中產(chǎn)生的位移電流、絕緣層擊穿時(shí)產(chǎn)生的峰值電流、相鄰結(jié)構(gòu)和連接線的漏電流。避免電流引起的問(wèn)題采用的措施有:使用寬條金屬和多晶連接線;使用多個(gè)并行的連接孔和通孔;避免絕緣層擊穿產(chǎn)生的峰值電流期間的電路開路、穿透電流產(chǎn)生的電遷移現(xiàn)象和電容上產(chǎn)生明顯的電壓降。
熱門點(diǎn)擊
- 電子產(chǎn)品劃分為以下3個(gè)級(jí)別
- MOs管的Dummy
- 多層PCB用半固化片(Prepreg)簡(jiǎn)介
- 助焊劑的分類
- 減弱熱載流子注入效應(yīng)的應(yīng)對(duì)措施
- 恒定電壓等比例縮小規(guī)則
- 柵介質(zhì)按擊穿時(shí)的情況,通?煞譃橐韵聝煞N
- 銅互連概述
- 焊點(diǎn)
- 用PECVD沉積內(nèi)層氧化硅到希望的厚度
推薦技術(shù)資料
- 單片機(jī)版光立方的制作
- N視頻: http://v.youku.comN_sh... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究