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測(cè)試氧化層測(cè)試結(jié)構(gòu)

發(fā)布時(shí)間:2016/6/25 22:44:04 訪問(wèn)次數(shù):483

   在設(shè)計(jì)和測(cè)試氧化層測(cè)試結(jié)構(gòu)時(shí),應(yīng)當(dāng)考慮到表面漏電流產(chǎn)生的誤差。表面漏DAC08CS電可以表現(xiàn)為氧化層測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試點(diǎn)之間的低電阻值,實(shí)際漏電位置與設(shè)計(jì)有關(guān),可能是測(cè)試點(diǎn)之間的直接漏電,或者連接到測(cè)試結(jié)構(gòu)的金屬線之間的漏電。當(dāng)在一個(gè)濕度較低的環(huán)境中測(cè)試,或者由于鈍化層的存在,有助于限制表面漏電流,表面漏電就不會(huì)產(chǎn)生明顯的問(wèn)題。

   測(cè)試氧化層測(cè)試結(jié)構(gòu)時(shí),與電流源有關(guān)的問(wèn)題包括:高場(chǎng)時(shí)產(chǎn)生的穿透電流、斜坡上升過(guò)程中產(chǎn)生的位移電流、絕緣層擊穿時(shí)產(chǎn)生的峰值電流、相鄰結(jié)構(gòu)和連接線的漏電流。避免電流引起的問(wèn)題采用的措施有:使用寬條金屬和多晶連接線;使用多個(gè)并行的連接孔和通孔;避免絕緣層擊穿產(chǎn)生的峰值電流期間的電路開路、穿透電流產(chǎn)生的電遷移現(xiàn)象和電容上產(chǎn)生明顯的電壓降。

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   測(cè)試氧化層測(cè)試結(jié)構(gòu)時(shí),與電流源有關(guān)的問(wèn)題包括:高場(chǎng)時(shí)產(chǎn)生的穿透電流、斜坡上升過(guò)程中產(chǎn)生的位移電流、絕緣層擊穿時(shí)產(chǎn)生的峰值電流、相鄰結(jié)構(gòu)和連接線的漏電流。避免電流引起的問(wèn)題采用的措施有:使用寬條金屬和多晶連接線;使用多個(gè)并行的連接孔和通孔;避免絕緣層擊穿產(chǎn)生的峰值電流期間的電路開路、穿透電流產(chǎn)生的電遷移現(xiàn)象和電容上產(chǎn)生明顯的電壓降。

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