MOS管的所有4個(gè)引線端都必須連接,不能浮地。為了減少在漏極應(yīng)力電壓和器件之間的寄生電壓降落,從測(cè)量點(diǎn)到器件的源、柵、漏和襯底之間的電阻必須最小化。DAC08CP電容測(cè)試結(jié)構(gòu)包括不同尺寸的大面積電容,測(cè)量氧化層的可靠性、擊穿電荷等;具有不同長(zhǎng)度的條形電容,考察柵邊缺陷率和場(chǎng)邊缺陷率;具有不同面積和條形的天線結(jié)構(gòu),用以考察連接到氧化層電荷的電荷收集。

   當(dāng)用多晶作柵電極時(shí),由于存在接觸電勢(shì)差和可能在柵電極內(nèi)形成耗盡層,在測(cè)試時(shí)實(shí)際作用在氧化層的電壓可能不同于施加在柵電極上的電壓,實(shí)際的擊穿電壓可能與測(cè)出的擊穿電壓不一致。在多晶一氧化層邊界的高摻雜可以抑制耗盡效應(yīng),特別是對(duì)薄柵介質(zhì)層。