所有TCV測試結(jié)構(gòu)應(yīng)采用與工藝中標(biāo)準(zhǔn)電路相同的封裝材料和組裝工藝進(jìn)行封裝。 DAC08EP在某些情況下,TCV壩刂試結(jié)構(gòu)不能按上述要求進(jìn)行封裝時,可以將TCV封裝在合適的外殼中來評價待認(rèn)證的芯片工藝,而此外殼不能影響試驗(yàn)的結(jié)果。

   TCV結(jié)構(gòu)不需使用鑒定過的外殼,因?yàn)榧鸿b定外殼的引線數(shù)將遠(yuǎn)超過研究固有可靠性所需外殼的引線數(shù)目。如果承制方能夠提供晶圓級和封裝級加速壽命試驗(yàn)結(jié)等效的數(shù)據(jù),鑒定機(jī)構(gòu)可以對TCV的封裝不做要求。例如,封裝TCV壩刂試結(jié)構(gòu)需要考慮陶瓷外殼中氫含量及其對熱載流子退化的影響。眾所周知,MOs器件中存在的氫能加劇熱載流子退化效應(yīng)。如果器件鈍化層不含有足夠的氫以等效陶瓷封裝中殘留的氫,則對封裝與非封裝器件,用于熱載流子效

應(yīng)的壽命試驗(yàn)結(jié)果會有明顯差別。對特定機(jī)理的TCV結(jié)構(gòu)至少應(yīng)說明以下要求:

   熱載流子退化(HCI)。TCV應(yīng)使用能監(jiān)控QML(Quali丘cd ManufacturcrⅡsting,合格制造廠目錄)器件所用的工藝的熱載流子退化的結(jié)構(gòu)。用線性跨導(dǎo)下降和閾值電壓的漂移來表征器件性能的退化,對于工藝的最小溝道長度和允許的寬度,抗熱載流子退化是基于那個參數(shù)經(jīng)歷承制方所規(guī)定的退化極限。對于熱載流子退化敏感的工藝,應(yīng)確定晶圓級快速試驗(yàn)篩選方法。

   ①M(fèi)Os,對于工藝中所用的每個標(biāo)稱閾值電壓的MOs晶體管,TCV應(yīng)具有表征熱載流子退化效應(yīng)與溝道長度的函數(shù)關(guān)系的結(jié)構(gòu)。

   ②雙級,應(yīng)具有表征雙極工藝中二極管的熱載流子退化效應(yīng)的結(jié)構(gòu)。