可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)的應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2016/6/25 22:47:15 訪問次數(shù):772
(Technology CharacteHzauon Vehic|e,可靠性表征結(jié)構(gòu))程序按照國(guó)軍標(biāo) DAC08CSZ-REEL“合格制造廠認(rèn)證用半導(dǎo)體集成電路通用規(guī)范”中的附錄B中的2.2.3.3TCV程序:承制方應(yīng)對(duì)考慮認(rèn)證的技術(shù)或工藝執(zhí)行TCV程序。DAC08CSZ-REEL該程序應(yīng)至少包括必需的測(cè)試結(jié)構(gòu),用這些測(cè)試結(jié)構(gòu)來表征工藝對(duì)固有可靠性失效機(jī)理的敏感度。這些失效機(jī)理有電遷移(Elcc“omigration,EM)、與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿(△me Dcpcndcnt Dielecthc Brcakdom,TDDB)、柵沉歐姆接觸退化、側(cè)柵/背柵和熱載流子效應(yīng)(Hot CaⅡier珂ection,HcI)。如果隨著集成電路技術(shù)不斷成熟而發(fā)現(xiàn)其他的失效機(jī)理,應(yīng)將新的失效機(jī)理的測(cè)試結(jié)構(gòu)增加到TCV程序中。
TCV程序應(yīng)用于技術(shù)認(rèn)證、可靠性監(jiān)測(cè)、輻射加固保證和監(jiān)測(cè)(適用時(shí))、更改控制,也用于快速測(cè)試,表征器件的固有可靠性。首次認(rèn)證時(shí),應(yīng)針對(duì)每一失效機(jī)理采用足量的TCV壩刂試結(jié)構(gòu)進(jìn)行加速壽命試驗(yàn)。對(duì)于待認(rèn)證的制造設(shè)施,TCV測(cè)試結(jié)構(gòu)應(yīng)從3個(gè)相同工藝的晶圓批中隨機(jī)抽取(該3個(gè)晶圓批應(yīng)從待認(rèn)證的工藝中制造),數(shù)量均勻分配,這些晶圓應(yīng)己通過了晶圓或晶圓批驗(yàn)收。在最壞工作條件和電路版圖符合設(shè)計(jì)規(guī)則的情況下,加速壽命試驗(yàn)將對(duì)每種失效機(jī)理給出平均失效時(shí)間(Mcan△mc To Failurc,MTTF)的估計(jì)和失效時(shí)間的分布。從MTTF和失效時(shí)間的分布可以預(yù)測(cè)最壞情況失效率。測(cè)試結(jié)構(gòu)應(yīng)來自己鈍化的晶圓。加速壽命數(shù)據(jù)和分析的摘要應(yīng)供鑒定機(jī)構(gòu)評(píng)審。首次認(rèn)證的MTTF、失效分布和加速因子將用做后續(xù)工藝TCV結(jié)果的比對(duì)基準(zhǔn),包括評(píng)價(jià)激活能,基于電壓、溫度、頻率等的加速因子,長(zhǎng)期可靠性,已知的失效機(jī)理和對(duì)策。
(Technology CharacteHzauon Vehic|e,可靠性表征結(jié)構(gòu))程序按照國(guó)軍標(biāo) DAC08CSZ-REEL“合格制造廠認(rèn)證用半導(dǎo)體集成電路通用規(guī)范”中的附錄B中的2.2.3.3TCV程序:承制方應(yīng)對(duì)考慮認(rèn)證的技術(shù)或工藝執(zhí)行TCV程序。DAC08CSZ-REEL該程序應(yīng)至少包括必需的測(cè)試結(jié)構(gòu),用這些測(cè)試結(jié)構(gòu)來表征工藝對(duì)固有可靠性失效機(jī)理的敏感度。這些失效機(jī)理有電遷移(Elcc“omigration,EM)、與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿(△me Dcpcndcnt Dielecthc Brcakdom,TDDB)、柵沉歐姆接觸退化、側(cè)柵/背柵和熱載流子效應(yīng)(Hot CaⅡier珂ection,HcI)。如果隨著集成電路技術(shù)不斷成熟而發(fā)現(xiàn)其他的失效機(jī)理,應(yīng)將新的失效機(jī)理的測(cè)試結(jié)構(gòu)增加到TCV程序中。
TCV程序應(yīng)用于技術(shù)認(rèn)證、可靠性監(jiān)測(cè)、輻射加固保證和監(jiān)測(cè)(適用時(shí))、更改控制,也用于快速測(cè)試,表征器件的固有可靠性。首次認(rèn)證時(shí),應(yīng)針對(duì)每一失效機(jī)理采用足量的TCV壩刂試結(jié)構(gòu)進(jìn)行加速壽命試驗(yàn)。對(duì)于待認(rèn)證的制造設(shè)施,TCV測(cè)試結(jié)構(gòu)應(yīng)從3個(gè)相同工藝的晶圓批中隨機(jī)抽取(該3個(gè)晶圓批應(yīng)從待認(rèn)證的工藝中制造),數(shù)量均勻分配,這些晶圓應(yīng)己通過了晶圓或晶圓批驗(yàn)收。在最壞工作條件和電路版圖符合設(shè)計(jì)規(guī)則的情況下,加速壽命試驗(yàn)將對(duì)每種失效機(jī)理給出平均失效時(shí)間(Mcan△mc To Failurc,MTTF)的估計(jì)和失效時(shí)間的分布。從MTTF和失效時(shí)間的分布可以預(yù)測(cè)最壞情況失效率。測(cè)試結(jié)構(gòu)應(yīng)來自己鈍化的晶圓。加速壽命數(shù)據(jù)和分析的摘要應(yīng)供鑒定機(jī)構(gòu)評(píng)審。首次認(rèn)證的MTTF、失效分布和加速因子將用做后續(xù)工藝TCV結(jié)果的比對(duì)基準(zhǔn),包括評(píng)價(jià)激活能,基于電壓、溫度、頻率等的加速因子,長(zhǎng)期可靠性,已知的失效機(jī)理和對(duì)策。
熱門點(diǎn)擊
- N型半導(dǎo)體中摻入的雜質(zhì)為磷或其他五價(jià)元素
- 鋁與硅
- 刮刀印刷角度
- 電遷移效應(yīng)的影響因素
- 集成電路的主要失效機(jī)理
- 直接觀察法
- 抗電遷移措施
- MOs電容的設(shè)計(jì)
- 離子注入的特點(diǎn)
- 輻射加熱
推薦技術(shù)資料
- 業(yè)余條件下PCM2702
- PGM2702采用SSOP28封裝,引腳小而密,EP3... [詳細(xì)]
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