PCM基本的技術(shù)特點(diǎn)如下
發(fā)布時(shí)間:2016/6/25 23:00:38 訪問次數(shù):1318
PCM基本的技術(shù)特點(diǎn)如下:
(1)簡化突出單項(xiàng)工藝,測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確。PCM與產(chǎn)品同樣經(jīng)歷整個(gè)工藝流程,DAC08HPZ測(cè)試結(jié)果反映了該批器件中工藝參數(shù)的實(shí)際情況。
圖71 CMOs工藝可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)圖形
(2)通過特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可以測(cè)到一些陪片測(cè)不到的參數(shù)(如埋層電阻、通孔電阻、接觸電阻、金屬Al薄層電阻等),有利于掌握工藝參數(shù)及其影響。
(3)不但能準(zhǔn)確地得到各參數(shù)的真實(shí)數(shù)值,而且能得到該參數(shù)在晶片上及不同晶片間的分布情況,可用于分析IC特性和成品率。
(4)單個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)一般所占用的面積不大,可放在劃片槽中隨電路一起走完整個(gè)工藝流程,也可將一次工藝流程中所需的測(cè)試結(jié)構(gòu)專門做在圓片的局部區(qū)域上。
(5)測(cè)試方法簡單,大多數(shù)情況下只需要進(jìn)行一些直流測(cè)試,易于自動(dòng)化測(cè)試,并可以由計(jì)算機(jī)以多種形式給出測(cè)試結(jié)果,自動(dòng)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,建立相應(yīng)的數(shù)據(jù)庫。
PCM基本的技術(shù)特點(diǎn)如下:
(1)簡化突出單項(xiàng)工藝,測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確。PCM與產(chǎn)品同樣經(jīng)歷整個(gè)工藝流程,DAC08HPZ測(cè)試結(jié)果反映了該批器件中工藝參數(shù)的實(shí)際情況。
圖71 CMOs工藝可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)圖形
(2)通過特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可以測(cè)到一些陪片測(cè)不到的參數(shù)(如埋層電阻、通孔電阻、接觸電阻、金屬Al薄層電阻等),有利于掌握工藝參數(shù)及其影響。
(3)不但能準(zhǔn)確地得到各參數(shù)的真實(shí)數(shù)值,而且能得到該參數(shù)在晶片上及不同晶片間的分布情況,可用于分析IC特性和成品率。
(4)單個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)一般所占用的面積不大,可放在劃片槽中隨電路一起走完整個(gè)工藝流程,也可將一次工藝流程中所需的測(cè)試結(jié)構(gòu)專門做在圓片的局部區(qū)域上。
(5)測(cè)試方法簡單,大多數(shù)情況下只需要進(jìn)行一些直流測(cè)試,易于自動(dòng)化測(cè)試,并可以由計(jì)算機(jī)以多種形式給出測(cè)試結(jié)果,自動(dòng)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,建立相應(yīng)的數(shù)據(jù)庫。
上一篇:PCM的作用
熱門點(diǎn)擊
- sio2的性質(zhì)
- PsG的主要優(yōu)點(diǎn)
- 離子注入后的退火
- 反電動(dòng)勢(shì)的大小與線圈電感量
- MOs器件的柵氧化層
- CMOs工藝的發(fā)展
- 金屬化電遷移
- 減小NBTl效應(yīng)的措施
- Bi-CMOS工藝
- PCM基本的技術(shù)特點(diǎn)如下
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