工藝監(jiān)測圖形。按照國DAC08RC/883C軍標GJBγ00―2011“合格制造廠認證用半導體集成電路通用規(guī)范”附錄B中的2.2.3.5條款的工藝監(jiān)測圖形,承制方應具有測量特定工藝的每一晶圓類型的電特性的工藝監(jiān)測圖形。工藝監(jiān)測圖形測試結(jié)構(gòu)可以采用劃片槽插入式、芯片內(nèi)部測試條、芯片插入式或這幾種形式的組合。

   通用電參數(shù)包括方塊電阻、結(jié)擊穿、接觸電阻、離子沾污和少數(shù)載流子壽命。MOs晶體管參數(shù)應至少包括一組測試晶體管用于晶體管參數(shù)的測量。最小晶體管組應包括一個幾何尺寸足夠大,以使其短溝道效應和窄溝道效應可以忽略的晶體管。還應包括幾個分別表示在幾何設(shè)計規(guī)則下最大的短溝道效應和窄溝道效應的晶體管。CMOs工藝應包含N型和P型晶體管。MOS晶體管參數(shù)包括閾值電壓、線性跨導、有效溝道長度、導通電流、關(guān)斷電流、傳輸延遲等。雙極參數(shù)測量參數(shù)包括方塊電阻、肖特基二極管參數(shù)、雙極晶體管參數(shù)和隔離漏電流。GaAs參數(shù)包括方塊電阻、金屬絕緣體金屬(MIM)電容、隔離、歐姆接觸和GaAs FET參數(shù)。