自加熱恒溫電遷移試驗(yàn)步驟
發(fā)布時間:2016/6/26 20:03:41 訪問次數(shù):516
在圓片級金屬互連與接觸可靠性的研究中,依據(jù)試驗(yàn)的目的不同,采用的方法分別有恒溫、 IXFM42N20恒流和標(biāo)準(zhǔn)圓片級電遷移加速試驗(yàn)。這3種方法各有特點(diǎn),恒溫測試需要調(diào)節(jié)電流,以維持溫度的恒定;恒定電流方式受氧化層厚度和金屬線寬的波動的影響,會產(chǎn)生較大誤差;標(biāo)準(zhǔn)圓片級電遷移加速試驗(yàn),由于測試過程十分快捷,對缺陷的敏感度不高。
標(biāo)準(zhǔn)圓片級電遷移加速試驗(yàn)方法常用于生產(chǎn)監(jiān)測,比較金屬化的質(zhì)量和金屬的完整性。它的測試方法是在金屬線上施加高的電流密度,加速金屬電遷移,溫度應(yīng)由產(chǎn)生的焦耳熱提供。
JEDEC61“Isothemal ElcG饣omigration Te釓Proccdurc”標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)了恒溫電遷移加速壽命測試方法,該方法以一維熱流模型為基礎(chǔ),假設(shè)在一維方向進(jìn)入的熱流在測試線上均勻散發(fā)。測試由4個步驟組成,即初始測試、電流上升測試、溫度收斂和維持恒定溫度直至失效。
初始測試的目的是為了確定電阻的初始值,在這之前需要確定電阻的溫度系 數(shù),用于在后續(xù)計(jì)算中根據(jù)溫度確定電阻值。
在圓片級金屬互連與接觸可靠性的研究中,依據(jù)試驗(yàn)的目的不同,采用的方法分別有恒溫、 IXFM42N20恒流和標(biāo)準(zhǔn)圓片級電遷移加速試驗(yàn)。這3種方法各有特點(diǎn),恒溫測試需要調(diào)節(jié)電流,以維持溫度的恒定;恒定電流方式受氧化層厚度和金屬線寬的波動的影響,會產(chǎn)生較大誤差;標(biāo)準(zhǔn)圓片級電遷移加速試驗(yàn),由于測試過程十分快捷,對缺陷的敏感度不高。
標(biāo)準(zhǔn)圓片級電遷移加速試驗(yàn)方法常用于生產(chǎn)監(jiān)測,比較金屬化的質(zhì)量和金屬的完整性。它的測試方法是在金屬線上施加高的電流密度,加速金屬電遷移,溫度應(yīng)由產(chǎn)生的焦耳熱提供。
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初始測試的目的是為了確定電阻的初始值,在這之前需要確定電阻的溫度系 數(shù),用于在后續(xù)計(jì)算中根據(jù)溫度確定電阻值。
熱門點(diǎn)擊
- 臺階覆蓋
- EPA區(qū)域
- NMOsFET的輸出特性曲線
- N、P阱的形成
- 熱載流子效應(yīng)的影響因素
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- 漏極電壓―定時柵壓與襯底電流的關(guān)系
- 不潤濕及反潤濕
推薦技術(shù)資料
- 電源管理 IC (PMIC)&
- I2C 接口和 PmBUS 以及 OTP/M
- MOSFET 和柵極驅(qū)動器單
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- Power Management Buck/
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