現(xiàn)代CMOS工藝中,往往采M0310YH300用離子注入技術改變溝道區(qū)的摻雜濃度,從而改變閾值電壓。對NMOS晶體管而言,注入P型雜質(zhì),將使閾值電壓增加;反之,注入N型雜質(zhì)將使閾值電壓降低,如果注入劑量足夠大,可使器件溝道區(qū)反型變成N型。這時,要在柵極上加上負電壓,才能減少溝道中電子濃度,使器件截止。在這種情況下,閾值電壓變成負值,對應的溝道關斷電壓稱為夾斷電壓。

   圖9,2 NMOsFET的輸出特性曲線

   根據(jù)閾值電壓的不同,MOS晶體管分成增強型和耗盡型2種。對于N溝MOs晶體管,閾值電壓大于0的器件稱為增強型晶體管,閾值電壓小于0的器件稱為耗盡型晶體管。PMOs晶體管和NMOS晶體管在結構上是一樣的,只是源漏襯底的材料類型和NMOS晶體管相反,工作電壓的極性也相反。