現(xiàn)代CMOS工藝中,往往采M0310YH300用離子注入技術(shù)改變溝道區(qū)的摻雜濃度,從而改變閾值電壓。對(duì)NMOS晶體管而言,注入P型雜質(zhì),將使閾值電壓增加;反之,注入N型雜質(zhì)將使閾值電壓降低,如果注入劑量足夠大,可使器件溝道區(qū)反型變成N型。這時(shí),要在柵極上加上負(fù)電壓,才能減少溝道中電子濃度,使器件截止。在這種情況下,閾值電壓變成負(fù)值,對(duì)應(yīng)的溝道關(guān)斷電壓稱(chēng)為夾斷電壓。

   圖9,2 NMOsFET的輸出特性曲線

   根據(jù)閾值電壓的不同,MOS晶體管分成增強(qiáng)型和耗盡型2種。對(duì)于N溝MOs晶體管,閾值電壓大于0的器件稱(chēng)為增強(qiáng)型晶體管,閾值電壓小于0的器件稱(chēng)為耗盡型晶體管。PMOs晶體管和NMOS晶體管在結(jié)構(gòu)上是一樣的,只是源漏襯底的材料類(lèi)型和NMOS晶體管相反,工作電壓的極性也相反。