利用MEDICI對相同工藝參數(shù)和柵氧厚度為3.2~‰m的MOS器件進行研究,在幾ubmⅨ應(yīng)力條件(吒s丬.75V,‰s胡・8v)下,最大碰撞離化率和AD8056AR最大的電子注入電流隨柵氧化層厚度變化如圖10.I1所示。

   從圖10.11中可見,當柵氧化層厚度飛x縮小時,碰撞電離產(chǎn)生率增大,而最大電子注入電流先平緩變化,當柵氧化層厚度進入4nm之后,電子注入電流迅速增大。氧化層厚度縮小50,8%,最大碰撞電離產(chǎn)生率從3.7×1029pairs/cm3・s增加到6,8×1y9pairs/cm3・s,大約增大了83.8%,注入電流的峰值從4.98×1σ11A・uml增大到2.3×1010A・umˉ1,大約增大了361.8%。由此可見,隨著柵氧化層厚度縮小,器

件的熱載流子效應(yīng)增強,器件退化也越趨嚴重。