難熔金屬(Mo、W、△-W、△-N)有玻璃鈍化,5×1JA/cm2;金導(dǎo)體中最大允許的NDP4060電流密度是6×105A/cm2流密度是1×1yA/cm2;其他金屬導(dǎo)體中最大允許的電流密度是2×105A/cm2。

   電流密度應(yīng)根據(jù)器件結(jié)構(gòu),在最大電流密度點計算。這一電流值應(yīng)在推薦的最高電源電壓,并且假定電流均勻通過導(dǎo)體橫截面的情況下確定。根據(jù)生產(chǎn)規(guī)范和控制要求,考慮包括金屬化臺階處適用的允許誤差,采用最小允許金屬厚度。如果最大電流密度不在臺階處,可不考慮金屬化臺階處的減薄效應(yīng)。阻擋層金屬和非導(dǎo)電材料面積不應(yīng)包括在導(dǎo)體橫截面的計算中。

   可靠性試驗的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方和進行工藝的一致性檢測。通過工藝優(yōu)化和設(shè)計改進,以生產(chǎn)出可靠性好的產(chǎn)品,提高產(chǎn)品的成品率,同時使生產(chǎn)廠家創(chuàng)立好的質(zhì)量體系。圖11.1所示是可靠性試驗的流程。

   可靠性試驗芯片應(yīng)按照微電子器件試驗方法標準GJB548B―⒛05中的方法⒛10.11內(nèi)目檢(單片電路)進行鏡檢,并且芯片上不可有水珠、液滴或水漬殘留。Pad上不能有異物附著,在40倍的目鏡下,Pad上的金屬互連線沒有腐蝕現(xiàn)象。除Pad開窗外,芯片上的保護層不能有破損現(xiàn)象。可靠性試驗芯片應(yīng)按照合格制造廠認證用半導(dǎo)體集成電路通用規(guī)范GJB弘OO―2011中的5.1包裝要求進行包裝。包裝應(yīng)能保證在運輸和操作過程中保護芯片免受機械損傷和靜電放電損傷,而且包裝材料和結(jié)構(gòu)不能對芯片有害。