可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)需要采用自N310AP動(dòng)或人工檢查的方式,進(jìn)行設(shè)計(jì)、電氣和可靠性規(guī)則檢查,以單獨(dú)或組合的方式找出所有已知缺陷。

   (1)設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(Dcsign Ru⒗Chcck,DRC):幾何及物理特性;

   (2)電氣規(guī)則檢查(Πectrical Rule Check,ERC):短路、開路和連接性;

   (3)輻射加固保證(Radiation Hardness Asst】rancc,RHA)規(guī)則檢查:有輻照指標(biāo)要求時(shí)進(jìn)行。

   按照半導(dǎo)體集成電路通用規(guī)范GJB597B中的3.5.6.1要求,在正常工藝情況下,半導(dǎo)體芯片或襯底上內(nèi)部導(dǎo)電薄膜(金屬化、接觸區(qū)、鍵合區(qū)等)的設(shè)計(jì)應(yīng)滿足如下原則:在正常工作條件下,薄膜導(dǎo)體經(jīng)受的溫度不超過(guò)工作溫度范圍(在規(guī)定的最壞情況工作條件下),導(dǎo)體的設(shè)計(jì)電流密度不超過(guò)下述最大允許值。

   對(duì)于鋁(99.99%的純鋁或摻雜鋁),無(wú)玻璃鈍化或未進(jìn)行玻璃鈍化層完整性試驗(yàn),最大允許的電流密度是2×1JA/cm2;對(duì)于鋁(q9.”%純鋁或摻雜鋁),有玻璃鈍化,最大允許的電流密度是5×105A/cm2。