一次性可編程ROM
發(fā)布時(shí)間:2016/7/5 20:36:34 訪問(wèn)次數(shù):1811
一次性可編程ROM
一次性可編程ROM(oTP),也稱現(xiàn)場(chǎng)可編程ROM(PRoM),Microchip公司的PIC系列芯片就是典型應(yīng)用。 EALNSC410-100AC這種ROM的內(nèi)容可以由用戶寫入,但只能寫入一次,容量可以從512B到32KB不等。
片內(nèi)Flash存儲(chǔ)器配置
單片機(jī)內(nèi)帶F1ash,典型芯片為Atmel公司的89C51系列。Flash存儲(chǔ)器是一種可擦除、可改寫的ROM,具有編程速度快,容量大,可以反復(fù)改寫,且價(jià)格比片內(nèi)EPROM的單片機(jī)便宜的優(yōu)點(diǎn)。
鐵電存儲(chǔ)技術(shù)FRAM
FRAM技術(shù)是利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的,這是近期最新的存儲(chǔ)技術(shù)。因?yàn)?/span>FRAM技術(shù)保持?jǐn)?shù)據(jù)不需要電壓,也不需要像DRAM一樣周期性刷新,所以FRAM的特點(diǎn)是速度極快,功耗極低,擦除次數(shù)高,TI公司的MsP43flFR57xx系列是首款采用該技術(shù)的單片機(jī)。
一次性可編程ROM
一次性可編程ROM(oTP),也稱現(xiàn)場(chǎng)可編程ROM(PRoM),Microchip公司的PIC系列芯片就是典型應(yīng)用。 EALNSC410-100AC這種ROM的內(nèi)容可以由用戶寫入,但只能寫入一次,容量可以從512B到32KB不等。
片內(nèi)Flash存儲(chǔ)器配置
單片機(jī)內(nèi)帶F1ash,典型芯片為Atmel公司的89C51系列。Flash存儲(chǔ)器是一種可擦除、可改寫的ROM,具有編程速度快,容量大,可以反復(fù)改寫,且價(jià)格比片內(nèi)EPROM的單片機(jī)便宜的優(yōu)點(diǎn)。
鐵電存儲(chǔ)技術(shù)FRAM
FRAM技術(shù)是利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的,這是近期最新的存儲(chǔ)技術(shù)。因?yàn)?/span>FRAM技術(shù)保持?jǐn)?shù)據(jù)不需要電壓,也不需要像DRAM一樣周期性刷新,所以FRAM的特點(diǎn)是速度極快,功耗極低,擦除次數(shù)高,TI公司的MsP43flFR57xx系列是首款采用該技術(shù)的單片機(jī)。
熱門點(diǎn)擊
- 臺(tái)階覆蓋
- NMOsFET的輸出特性曲線
- N、P阱的形成
- 熱載流子效應(yīng)的影響因素
- Al膜的電遷移
- 器件的特征尺寸不斷縮小
- 加速系數(shù)是加速壽命試驗(yàn)的一個(gè)重要參數(shù)
- 漏極電壓―定時(shí)柵壓與襯底電流的關(guān)系
- 機(jī)器數(shù)的原碼、反碼和補(bǔ)碼
- 一次性可編程ROM
推薦技術(shù)資料
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
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- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究