閾值電壓是MOS晶體管的重要參數(shù)之一,閾值電壓 M0334RC120影響電路的輸入/輸出特性。按MOs晶體管的溝道隨柵壓正向和負(fù)向增加而形成或消失的機(jī)理,有兩種類型的MOS晶體管。

   (1)耗盡型:溝道在/Gs=0時已經(jīng)存在,當(dāng)吒s“負(fù)”到一定程度時截止。

   (2)增強(qiáng)型:在正常情況下它是截止的,只有當(dāng)吒s到一定程度時才會導(dǎo)通。在半導(dǎo)體理論中,P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級是靠近價帶的,而N型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級則是靠近導(dǎo)帶的。要想把P型變?yōu)镹型,外加壓必須補(bǔ)償這兩個費(fèi)米能級之差。Ec、Ex/、羈分別為導(dǎo)帶、價帶和本征費(fèi)米能級,EFP和馬N分別為P型和N型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級。

   柵極偏置電壓下的NMOS晶體管如圖9.5所示,源、漏和襯底接地,柵上加電壓呢s。柵和襯底之間是以s⒑2為介質(zhì)的柵電容,當(dāng)/Gs從0向正值變化時,正電荷積聚在柵電極,在柵電極下的襯底中將積累負(fù)電荷。當(dāng)/Gs足夠大時,在柵電極下形成耗盡區(qū)。設(shè)耗盡區(qū)的厚度為凡,在厚度為漢d,單位面積柵下的P型半導(dǎo)體材料中所含的不可動電荷dg=g(習(xí)厶dYd)。