當(dāng)多晶硅穿過有源區(qū)時,就形成HCPL-0611-500E了一個MOS管。當(dāng)多晶硅穿過N型有源區(qū)時,形成NMOS管;當(dāng)多晶硅穿過P型有源區(qū)時,形成PMOs管。圖8.30所示是NMOs管的版圖及剖面圖。為形成反型層溝道,MOs管的P型襯底通常接電路的最低電位,而N阱通常接最高電位。

   (a)NMOS管版圖             (b)NMOS管剖面圖

   圖830 NMOS管版圖及剖面圖

   寄生電阻和電容會帶來噪聲、降低速度、增加功耗等效應(yīng)。晶體管的寄生優(yōu)化包括盡量減小多晶做導(dǎo)線的長度,通過兩邊接?xùn)?可優(yōu)化柵極串聯(lián)寄生電阻。對于大尺寸晶體管的版圖,一般將晶體管裂開,用多個指狀(Finger)結(jié)構(gòu)并聯(lián)取代,如圖8.31和圖8.32所示。

   寄生優(yōu)化還涉及接觸孔、通孔與其他層的連接。這種連接會引入接觸電阻,而且會限制流過接觸孔或通孔的電流密度。一般采用多個均勻分布的最小孔并聯(lián)的方法來減小孔的寄生電阻和提高孔的可通過電流能力。