MOCVD的外延生長過程雖然復雜,但仍然有規(guī)律可循,其關(guān)鍵是反應室內(nèi)的溫度和氣流的混合、HD64F2169AVTE10動態(tài)分布與控制。同時,通過不斷摸索和優(yōu)化好各個具體材料的組分、相變、生長取向等外延生長規(guī)律,建立了一些模型來幫助我們理解MOcVD技術(shù)特點,指導我們

有效地優(yōu)化LED的外延生長。在實際材料生長和LED產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)中,MOcVD設備和技術(shù)表現(xiàn)出以下諸多優(yōu)點:

   (l)靈活性�？蛇x擇多種Mo源作為源材料,因此可生長多種化合物半導體。

   (2)可控性。通過對生長參數(shù)(溫度、流量、V/III比、壓力等)的優(yōu)化,能精確控制極薄層材料的厚度、組分和界面。

   (3)重復性。能重復生長大面積的均勻?qū)?便于工業(yè)生產(chǎn)。

   (4)經(jīng)濟性。價格較低。