MO源供應(yīng)子系統(tǒng)會根據(jù)工藝對Mo種類和使用量進(jìn)行配置,通常一種元素需要配置至少一條含有該元素的MO源管路。每個Mo源管路均會包括管道、閥門、 A1109AS-H-220M質(zhì)量流量計(MFC)、壓力計(PC)、Run/Ⅵnt組合閥、Mo源瓶和恒溫水浴槽。在Mo管路設(shè)置中,質(zhì)量流量計通常設(shè)置在Mo源瓶入口端上游,從而精確控制進(jìn)入源瓶的載氣量;而壓力控制計設(shè)置在Mo源瓶出口端下游,以便維持MO源瓶內(nèi)穩(wěn)定蒸氣壓力。根據(jù)生長要求,Mo氣源系統(tǒng)配置會稍有不同,主要有標(biāo)準(zhǔn)Mo管路、單稀釋Mo管路與雙稀釋Mo管路等3種配置,如圖⒈6所示。其中,在標(biāo)準(zhǔn)Mo管路和單稀釋Mo管路配置中,從Mo源瓶帶出的氣源均會被全部輸運進(jìn)反應(yīng)腔;而雙稀釋Mo管路配置中則只會有部分經(jīng)稀釋后進(jìn)入反應(yīng)腔,剩余部分會排至尾氣系統(tǒng)。雙稀釋Mo管路,主要用在只需注入反應(yīng)室的摩爾流量特別小而Mo源的蒸氣壓又高的摻雜源管路中。例如,TMGa會被雙稀釋后以極小流量參與量子阱階段的阱和壘的生長。