高分辨X射線衍射(HRXRD)以半導體單晶和半導體低維異質結構為主要研究對象, BAT54C是分析半導體材料及其結構的測試手段哪]。高分辨X射線衍射技術的發(fā)展與半導體工業(yè)的發(fā)展是緊密聯(lián)系在一起的。最早的高分辨X射線衍射技術起源于⒛世紀⒛年代,利用巖鹽和石英等天然晶體為分光晶體的雙晶衍射儀,但限束質量差。⒛世紀50年代單晶硅和鍺的成功制備,為X射線衍射提供了高結晶性的分光晶體,使高質量限束成為可能,同時還完成了高分辨X射線衍射從雙晶系統(tǒng)到三軸系統(tǒng)的轉變。異質外延技術的興起,尤其是分子束外延(MBE)和金屬氧化物化學氣相沉積(MOCVD)成功制備出低維異質結構半導體材料對X射線衍射提出了更高的要求,極大地促進了高分辨X射線衍射技術的發(fā)展。

   1895年,德國物理學家倫琴研究陰極射線時發(fā)現(xiàn)了一種奇異的射線,其能量高、穿透力強、直線傳播,且具有照相、電離以及熒光效應,被稱作X射線⒓叨。1912年,另一位德 國物理學家勞厄用實驗證實了X射線為一種波長為1010m的能夠產(chǎn)生衍射現(xiàn)象的電磁波。X射線衍射的發(fā)現(xiàn)為晶體學及半導體材料的研究提供了一種新的測試手段。實驗表明,真空中高速運動的帶電粒子撞擊到任何物質,均可產(chǎn)生X射線。一股的X射線發(fā)生裝置構造如圖⒈19所示。