GaliN/GaN多量子阱作為藍綠光LED的核心部分,其生長質(zhì)量對LED發(fā)光性能有至關(guān)重要的影響。在InrGal”N/GEN多量子阱生長過程中,其界面質(zhì)量與生長條件密切相關(guān)。L6562生長InYG幻“N/GEN多量子阱結(jié)構(gòu)時阱和壘的厚度是首先要考慮的問題。Kozodoyl2劍等人研究了生長In02GaO:N/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)的阱寬和壘寬對多量子阱發(fā)光特性的影響,他們發(fā)現(xiàn)阱寬一般在2.5~3nm,在這一范圍內(nèi)PL強度最強,半寬最窄。對壘寬的研究發(fā)現(xiàn),當阱寬在2nm、壘寬大于snm時其發(fā)光性能最佳。因此,InxGa1亠N/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)一般是幾個納米厚的薄層,對于這些超薄層的生長主要是能精確控制其厚度和界面的質(zhì)量。一般來說,可以通過調(diào)整生長速率和生長時間來控制薄層的厚度,但是實際上在利用MOCVD生長這些超薄層時,其厚度受異質(zhì)界面的質(zhì)量影響。對于異質(zhì)界面而言,我們要優(yōu)化其生長質(zhì)量主要是控制其生長時界面的平坦度、組分變化的陡峭度和界面的缺陷密度等"]。

   白mP釗等人研究發(fā)現(xiàn)In,Ga1jN/GaN多量子阱的對數(shù)會對量子阱的界面平坦度產(chǎn)生影響。他們生長了InlGa1~N(3nm)/GaN(8.5nm)的多量子阱結(jié)構(gòu),TEM結(jié)果顯示如果量子阱的對數(shù)超過10對,界面的陡峭度會隨著對數(shù)的增加而下降,圖⒉23分別為量子阱對數(shù)為10對和⒛對時的TEM顯微圖像,可以看出,10對量子阱的界面要明顯陡峭一些,而⒛對量子阱中可以看出有黑點聚集,該區(qū)域為富In的沉積物。出現(xiàn)In聚集現(xiàn)象的原因是隨著量子阱對數(shù)的增加導致量子阱的總厚度增加,積累的應變能通過位錯而弛豫,位錯促進了InxGal”N層中富In相的形成。當量子阱的對數(shù)增加到15和20時,室溫PL譜的強度也會由于界面結(jié)構(gòu)的退化而大大降低,并且PL譜的峰位也由于富In區(qū)的出現(xiàn)發(fā)生了紅移。