在量子阱生長過程中,溫度變L6562DTR化的控制十分重要,因為一般GaN壘層生長溫度較高,而IIllGal”N阱層生長時為了保證In組分的并入率需要較低的生長溫度。由于GaN勢壘層和InGaN阱層厚度僅為十幾納米或幾納米,生長時間只有幾分鐘,因此這就要求在極短時間內(nèi)實現(xiàn)高低溫的變換,溫度變化不當,將會造成界面粗糙。(mρ到等人采用雙溫度生長的方法研究了量子阱壘層的生長溫度對InxGa1~N/GaN多量子阱性質(zhì)的影響,在I‰Ga1~川阱層(⒛0~⒎0℃)生長完以后,中斷一段時間,升高溫度(840~88o℃)并且將載氣由氮氣換為氫氣進行GaN壘層的生長;之后再中斷一段時間,降低生長溫度并將載氣由氫氣換回氮氣進行I△GalαN阱層的生長。隨著壘層生長溫度的增加,多量子阱的結構、光學性質(zhì)以及表面形貌都得到了改善。然而在中斷生長期間I廴Gal”N阱層中的In組分會由于溫度的升高而揮發(fā)損失,解決這一問題通常的做法是在生長GaN壘層之前先在InlGa1~N上覆蓋低溫GaN作為保護層,然后再升溫生長高溫GaN壘層。shc'刨等人則研究了雙溫度生長法條件下阱層和壘層的厚度對其發(fā)光性能的影響,他們結合X射線衍射分析的結果認為隨著壘層厚度的增加改善了阱壘界面的質(zhì)量。