圖⒉25 具有pˉAlGaN電子阻擋層的LED能帶結(jié)構(gòu)示意圖及EBL價帶局部示意圖由于p-AlGaN電子阻擋層存在以上問題, L7806CV-DG研究者們嘗試采用晶格及能隙變化范圍較大的IllAlN材料作為電子阻擋層,InAlN帶隙寬(2,8~4。⒛V),晶格匹配度高(InlAllαN,In含量在14%~”%與GaN只有0.5%的失配),MOCVD生長溫度低,更適合當做綠光LED的電子阻擋層。suk Choi卩叨等報道了在注入電流為440mA的條件下,相比于采用Al02GaO d電子阻擋層的LED樣品,具有In01:A10:2N電子阻擋層的LED樣品光輸出功率要高出佃%,同時效率衰減只有18%,如圖⒉26所示。

   圖⒉26 采用不同EBL的LED發(fā)光效率對比圖

此外,AlGaN電子阻擋層中Mg摻雜及A1GaN層的厚度也制約著空穴向多量子阱內(nèi)的注入效率。AlGaNˉ層中Mg的摻雜可以有效增加電子阻擋層中價帶中的費米能級,提高空穴的注入幾率;此外,p-AlGaN的厚度也制約著空穴的注入效率。隨著少AlGaN厚度的 增加,p-AlGaN層對空穴的阻擋作用增大,并且造成了LED外延片質(zhì)量和芯片發(fā)光強度的下降。