藍(lán)綠光LED芯片結(jié)構(gòu)及制備工藝
發(fā)布時間:2016/8/5 19:45:13 訪問次數(shù):1559
GaN基藍(lán)綠光LED芯片因其常用主流襯底的性能不同而使得芯片具有不同的結(jié)構(gòu)。藍(lán)J430BNRB1寶石襯底因其為絕緣體,因此藍(lán)寶石襯底芯片主流結(jié)構(gòu)是制作成芯片P、N電極都在同一側(cè)的正裝結(jié)構(gòu),又稱同側(cè)結(jié)構(gòu);為了大電流驅(qū)動和散熱的需求,人們發(fā)展了背面(藍(lán)寶石面)出光的倒裝結(jié)構(gòu);為了進(jìn)一步提高出光和散熱性能,將倒裝芯片的藍(lán)寶石襯底剝離,制備成薄膜倒裝結(jié)構(gòu);另一種可提供大電流驅(qū)動和高效率散熱的結(jié)構(gòu)是將藍(lán)寶石用剝離和壓焊的工藝制備成垂直結(jié)構(gòu)。另外,⒐C襯底因其優(yōu)良的導(dǎo)電導(dǎo)熱性,用其外延生長的外 延片非常適合制備垂直結(jié)構(gòu)芯片;si襯底的導(dǎo)電導(dǎo)熱能力也較佳,其外延片同樣適合制備垂直結(jié)構(gòu)芯片。不同的襯底、不同的芯片結(jié)構(gòu),其芯片結(jié)構(gòu)和制備工藝都不盡相同。
GaN基藍(lán)綠光LED芯片因其常用主流襯底的性能不同而使得芯片具有不同的結(jié)構(gòu)。藍(lán)J430BNRB1寶石襯底因其為絕緣體,因此藍(lán)寶石襯底芯片主流結(jié)構(gòu)是制作成芯片P、N電極都在同一側(cè)的正裝結(jié)構(gòu),又稱同側(cè)結(jié)構(gòu);為了大電流驅(qū)動和散熱的需求,人們發(fā)展了背面(藍(lán)寶石面)出光的倒裝結(jié)構(gòu);為了進(jìn)一步提高出光和散熱性能,將倒裝芯片的藍(lán)寶石襯底剝離,制備成薄膜倒裝結(jié)構(gòu);另一種可提供大電流驅(qū)動和高效率散熱的結(jié)構(gòu)是將藍(lán)寶石用剝離和壓焊的工藝制備成垂直結(jié)構(gòu)。另外,⒐C襯底因其優(yōu)良的導(dǎo)電導(dǎo)熱性,用其外延生長的外 延片非常適合制備垂直結(jié)構(gòu)芯片;si襯底的導(dǎo)電導(dǎo)熱能力也較佳,其外延片同樣適合制備垂直結(jié)構(gòu)芯片。不同的襯底、不同的芯片結(jié)構(gòu),其芯片結(jié)構(gòu)和制備工藝都不盡相同。
熱門點(diǎn)擊
- 中斷請求標(biāo)志
- 82C55的基地址是A口寄存器,而不是控制寄
- 光刻工藝的基本步驟
- 藍(lán)綠光LED芯片結(jié)構(gòu)及制備工藝
- C51流程控制語句
- 光致發(fā)光是用光激發(fā)發(fā)光體引起的發(fā)光現(xiàn)象
- Herscy系數(shù)與摩擦系數(shù)及拋光液混合膜的關(guān)
- 窗口層材料的外延
- 或非門模型參數(shù)
- 照明用小功率芯片因?yàn)槠涿娣e較小
推薦技術(shù)資料
- 高速功耗比 (2.5MHz)
- 32 位微控制器 (MCU)&
- 微控制器RA Arm Cortex-M MC
- 32MHz Arm Cortex-M23 超
- RA2T1 系列微控制器
- CNC(計(jì)算機(jī)數(shù)控)和制造機(jī)械系統(tǒng)應(yīng)用探究
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究