以上兩種結(jié)構(gòu)設(shè)計都是在P電極上增加了一根枝條電極,主要作用是便于電流擴展, JANUS-B3增加出光效率,同時減小P電極與N電極的距離,有利于芯片電壓的降低。通常也是小功率芯片中尺寸偏大一些的芯片才會采用這兩種結(jié)構(gòu),例如8×12mi12、8×15mi12、9×15mi12 等尺寸。

   照明用小功率芯片因為其面積較小,因此在制備工藝的設(shè)計與選擇上與中大尺寸芯片有明顯的差別。首先,因為面積很小,一般不用枝條電極,并且將P、N焊盤置于芯片的兩對角線上,這樣電流會比較集中在P、N焊盤之間的區(qū)域,兩翼區(qū)域電流密度較小,因此老化、ESD等測試中常見的不良區(qū)也是P、N焊盤之間的區(qū)域,同時也是因為這個原因,P、N焊盤位于對角線的小功率芯片設(shè)計成長方形,便于降低電壓和充分利用發(fā)光面積;其次,芯片面積很小,所以側(cè)壁出光在總出光中占比很大,所以芯片的厚度對封裝后的亮度影響較大,在一定范圍內(nèi),芯片厚度越厚越有利于提高亮度,但是同時要考慮裂片的成品率。芯片面積小,太厚可能導(dǎo)致雙胞;再次,小功率芯片一般對應(yīng)低端應(yīng)用,所以成本上的考慮也是重要的方面。一般小功率芯片不做電流阻擋層、背鍍、表面紋理化等工藝;最后,電極焊盤遮光的面積占芯片總面積比例較大,因此反射電極工藝對小功率芯片的亮度

提升極為有利。