N電極和蓋在透明導電層(ITO)上的P電極焊盤
發(fā)布時間:2016/8/7 18:38:29 訪問次數(shù):1305
正裝芯片上的反射EP1C4F324C8電極結構一般是在透明導電層上進行,即在ro上或者Ni/Au膜系上。J.K shcu等人卩刨用非合金(Ag/C〃Au或者Al/C〃Au)的金屬膜系作為蓋在n~GaN上的 N電極和蓋在透明導電層(ITO)上的P電極焊盤,如圖5-20所示。相對以C〃Au金屬膜系作為電極焊盤和歐姆接觸層的傳統(tǒng)LED而言,非合金金屬膜系充當了防止類似低接觸電阻率但是吸光的Cr/Au膜系的反射鏡。在⒛lllA驅動下,具有Ag或者川反射鏡的LED樣品比CI・/Au電極樣品亮度高14%。
正裝芯片上的反射EP1C4F324C8電極結構一般是在透明導電層上進行,即在ro上或者Ni/Au膜系上。J.K shcu等人卩刨用非合金(Ag/C〃Au或者Al/C〃Au)的金屬膜系作為蓋在n~GaN上的 N電極和蓋在透明導電層(ITO)上的P電極焊盤,如圖5-20所示。相對以C〃Au金屬膜系作為電極焊盤和歐姆接觸層的傳統(tǒng)LED而言,非合金金屬膜系充當了防止類似低接觸電阻率但是吸光的Cr/Au膜系的反射鏡。在⒛lllA驅動下,具有Ag或者川反射鏡的LED樣品比CI・/Au電極樣品亮度高14%。
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