N電極和蓋在透明導(dǎo)電層(ITO)上的P電極焊盤
發(fā)布時(shí)間:2016/8/7 18:38:29 訪問次數(shù):1316
正裝芯片上的反射EP1C4F324C8電極結(jié)構(gòu)一般是在透明導(dǎo)電層上進(jìn)行,即在ro上或者Ni/Au膜系上。J.K shcu等人卩刨用非合金(Ag/C〃Au或者Al/C〃Au)的金屬膜系作為蓋在n~GaN上的 N電極和蓋在透明導(dǎo)電層(ITO)上的P電極焊盤,如圖5-20所示。相對以C〃Au金屬膜系作為電極焊盤和歐姆接觸層的傳統(tǒng)LED而言,非合金金屬膜系充當(dāng)了防止類似低接觸電阻率但是吸光的Cr/Au膜系的反射鏡。在⒛lllA驅(qū)動下,具有Ag或者川反射鏡的LED樣品比CI・/Au電極樣品亮度高14%。
正裝芯片上的反射EP1C4F324C8電極結(jié)構(gòu)一般是在透明導(dǎo)電層上進(jìn)行,即在ro上或者Ni/Au膜系上。J.K shcu等人卩刨用非合金(Ag/C〃Au或者Al/C〃Au)的金屬膜系作為蓋在n~GaN上的 N電極和蓋在透明導(dǎo)電層(ITO)上的P電極焊盤,如圖5-20所示。相對以C〃Au金屬膜系作為電極焊盤和歐姆接觸層的傳統(tǒng)LED而言,非合金金屬膜系充當(dāng)了防止類似低接觸電阻率但是吸光的Cr/Au膜系的反射鏡。在⒛lllA驅(qū)動下,具有Ag或者川反射鏡的LED樣品比CI・/Au電極樣品亮度高14%。
熱門點(diǎn)擊
- 刻蝕效果的主要參數(shù)有刻蝕速率
- 研磨拋光工藝流程
- 通常采用三次光刻芯片制程
- 中斷響應(yīng)的條件
- 12位A/D轉(zhuǎn)換器AD1674及與單片機(jī)接口
- 幾種典型的MOCVD反應(yīng)室
- 近場光源的亮度分布
- 用交流毫伏表測出電路帶負(fù)載時(shí)的輸出電壓VoL
- 單片機(jī)選用sTC90C51系列單片
- SPICE軟件
推薦技術(shù)資料
- 業(yè)余條件下PCM2702
- PGM2702采用SSOP28封裝,引腳小而密,EP3... [詳細(xì)]
- 高速功耗比 (2.5MHz)
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- 微控制器RA Arm Cortex-M MC
- 32MHz Arm Cortex-M23 超
- RA2T1 系列微控制器
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